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AL03FT15N 发布时间 时间:2025/12/26 1:45:49 查看 阅读:12

AL03FT15N是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的高性能、低电压、低导通电阻的N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的TrenchFET技术制造,能够在小型封装内提供卓越的电气性能,适用于高效率电源管理应用。AL03FT15N特别设计用于在低栅极驱动电压下工作,支持逻辑电平驱动,使其非常适合现代低电压、高密度的便携式电子设备和电源系统。其主要优势在于极低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等场景。AL03FT15N采用SOT-23或类似的小型表面贴装封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合对尺寸敏感的设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,适用于工业级温度范围,具备较高的可靠性与稳定性。

目录

参数

型号:AL03FT15N
  类型:N沟道MOSFET
  连续漏极电流(ID):3A
  脉冲漏极电流(IDM):12A
  漏源击穿电压(BVDSS):30V
  栅源阈值电压(VGS(th)):1V ~ 2.5V
  导通电阻(RDS(on))max @ VGS = 4.5V:15mΩ
  导通电阻(RDS(on))max @ VGS = 2.5V:20mΩ
  栅极电荷(Qg):8nC
  输入电容(Ciss):400pF
  功耗(Pd):1W
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-23

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