产品类型：光耦合器
　　通道数：1 通道
　　输入类型：DC
　　输出类型：光电晶体管
　　隔离电压：5000 Vrms
　　最大集电极-发射极电压：80 V
　　最大发射极-集电极电压：6 V
　　最大正向输入电流：60 mA
　　最大功耗：150 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　最大工作电压（输入）：1.5 V
　　下降时间：3 μs
　　上升时间：3 μs
　　电流传输比 CTR：50% ~ 600%
　　封装类型：SO-4

AL02ST8N0 光耦合器的核心特性之一是其卓越的电气隔离能力，能够承受高达 5000 Vrms 的隔离电压，这使得它非常适合用于需要强电与弱电之间进行安全隔离的应用场景。这种高隔离电压不仅满足了工业自动化系统中对抗高压浪涌和瞬态干扰的需求，还符合 IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 等多项国际安全标准的要求，确保终端设备通过相关认证。该器件采用 AlGaAs 发光二极管作为光源，相比传统的 GaAs LED，具有更高的发光效率和更长的使用寿命，能够在较低的正向电流下驱动，典型值为 1.2V @ 5mA，显著降低了驱动电路的功耗。同时，其集成的硅光电晶体管具备良好的线性响应特性和较高的电流传输比（CTR），在常温下可达到 50% 至 600%，这意味着即使在老化或高温条件下，依然能维持稳定的信号传递性能。
　　另一个关键特性是其出色的温度稳定性与长期可靠性。AL02ST8N0 可在 -55°C 到 +110°C 的宽温范围内正常工作，适用于严苛的工业和户外环境。器件内部结构经过优化设计，具有优异的抗湿度、抗振动和抗化学腐蚀能力，确保在长时间运行中不会因环境应力导致性能衰减。其封装形式为 SO-4 表面贴装型，体积小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用，并支持自动化贴片工艺，提升生产效率。此外，该光耦的响应时间较快，上升和下降时间均为 3μs，在中低速数字信号隔离应用中表现良好，适用于 PWM 控制、状态检测、继电器驱动等多种功能。由于无机械触点，AL02ST8N0 不会产生电弧或磨损，寿命远超传统继电器，特别适合需要频繁切换的控制系统。整体而言，该器件结合高性能、高可靠性和紧凑封装，成为现代电子系统中实现安全隔离的理想选择。

AL02ST8N0 光耦合器被广泛应用于多个需要电气隔离的关键领域。在工业自动化系统中，它常用于可编程逻辑控制器（PLC）的输入/输出模块，将现场传感器或执行器的信号与中央控制单元隔离开来，避免高压干扰损坏微处理器。在开关电源（SMPS）设计中，该器件常用于反馈回路，将次级侧的电压调节信号传送到初级侧的 PWM 控制器，实现精确稳压的同时保证主副边之间的绝缘安全。此外，在电机驱动器、逆变器和 UPS 不间断电源等电力电子设备中，AL02ST8N0 用于隔离控制信号与高功率电路，防止地电位差引起的误动作。通信接口如 RS-232、RS-485 隔离模块也广泛采用此类光耦，以增强系统的抗共模干扰能力，提升数据传输的稳定性。在医疗电子设备中，出于患者安全考虑，必须实现信号路径的医用级隔离，AL02ST8N0 凭借其通过 VDE 和 UL 认证的高隔离性能，成为监护仪、诊断设备和治疗仪器中的理想选择。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）、智能电表、楼宇自动化控制系统以及新能源发电系统中的信号隔离环节，保障系统运行的安全性与可靠性。凭借其宽温度范围、高抗扰度和长寿命特性，AL02ST8N0 在各类嵌入式控制系统中发挥着不可替代的作用。

HCPL-0201, PC817X1NSZ0F, TLP521-GB