型号：AL02HT17N
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1700 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：2 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：8 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=15V：2.0 Ω（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：2.3 Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）@10V：45 nC
　　输入电容（Ciss）：1100 pF
　　输出电容（Coss）：160 pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成快恢复二极管时取决于外部条件
　　体二极管反向恢复电荷（Qrr）：较低
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

AL02HT17N 的核心优势在于其高达 1700V 的漏源击穿电压，这使其能够在极端高压环境中稳定运行，满足诸如太阳能发电系统、高压直流输电接口和工业级变频器等应用场景的需求。该器件采用 AOS 专有的高压沟槽工艺技术，不仅实现了优异的电压阻断能力，还显著降低了单位面积的导通电阻，从而在保持高耐压的同时提升能效表现。其典型的 RDS(on) 值仅为 2.0Ω（在 VGS=15V 条件下），意味着在额定电流下产生的导通损耗非常小，有助于减少发热并提高系统整体效率。
　　另一个关键特性是其优化的动态参数，包括较低的栅极电荷（Qg=45nC）和输入/输出电容（Ciss=1100pF, Coss=160pF），这些参数共同作用，使得 AL02HT17N 在高频开关操作中表现出色。低 Qg 意味着驱动电路所需提供的能量更少，可以使用更低驱动功率的控制器或栅极驱动 IC，从而简化外围设计并降低成本。同时，较小的 Coss 有助于减少开关过程中的能量损耗，特别是在硬开关拓扑如反激式或正激式转换器中，能够有效抑制电压过冲和振荡现象。
　　该器件的 TO-247 封装具有优良的散热性能，允许其在较高环境温度下持续工作，最大结温可达 +150°C，确保了在恶劣工业环境中的长期可靠性。此外，内置的体二极管具备较短的反向恢复时间与低 Qrr，减少了在非同步整流或感性负载关断时的能量损耗和电磁干扰（EMI）。AL02HT17N 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不损坏，提升了系统的安全裕度。综合来看，AL02HT17N 凭借其高耐压、低损耗、良好热性能和高可靠性的特点，成为高压功率 MOSFET 中极具竞争力的产品之一。

AL02HT17N 广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。首先，在太阳能光伏逆变器中，它常用于 DC-DC 升压级或辅助电源模块，负责将面板输出的直流电压升高至母线水平，其高耐压特性可有效应对开路电压波动和雷击浪涌等异常情况，同时低 RDS(on) 有助于提升能量转换效率，延长系统发电时间。其次，在电动汽车及充电桩领域，尤其是在交直流充电桩的 PFC（功率因数校正）电路或高压 DC-DC 变换器中，AL02HT17N 可作为主开关器件，支持宽输入电压范围和高效率运行，满足严苛的能效标准与安全规范。
　　在工业自动化与电机驱动系统中，该器件可用于高压电机的斩波控制或制动单元，处理由电机反电动势引起的高电压尖峰，保障控制系统稳定运行。此外，AL02HT17N 也适用于高压 LED 驱动电源、电信整流模块、不间断电源（UPS）以及航空电子设备中的隔离式 DC-DC 转换器等场景。这类应用通常要求元器件具备长时间工作的稳定性、耐高温能力和抗干扰性能，而 AL02HT17N 正好契合这些需求。由于其封装兼容性强，易于安装于散热片上，因此特别适合对空间布局和热管理有较高要求的设计方案。总而言之，凡是涉及 1000V 以上直流电压等级且需要高效、可靠开关元件的应用，AL02HT17N 都是一个理想选择。

AOH17002