时间：2025/12/26 0:54:44
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AL02HT15N是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能高压功率MOSFET器件，专为高效率电源转换系统设计。该器件采用先进的沟槽式场截止技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的雪崩能量承受能力，适用于多种工业级和消费级电源应用。AL02HT15N属于N沟道增强型MOSFET，其额定电压为1500V，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于需要耐受高电压瞬变的应用场合。该器件封装形式为TO-247，具备良好的热传导能力和机械稳定性，便于在大功率应用中进行散热管理。由于其高击穿电压与优化的动态特性，AL02HT15N广泛应用于太阳能逆变器、LED驱动电源、开关模式电源（SMPS）、电机控制电路及工业电源系统中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了相关可靠性测试，确保在严苛工作条件下长期稳定运行。
型号：AL02HT15N
类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：1500 V
连续漏极电流ID @ 25°C：2 A
脉冲漏极电流IDM：8 A
栅源电压VGS：±30 V
导通电阻RDS(on) @ VGS = 10V：2.0 Ω 最大值
导通电阻RDS(on) @ VGS = 15V：1.7 Ω 最大值
栅极电荷Qg：60 nC 典型值
输入电容Ciss：1100 pF @ VDS=25V
输出电容Coss：110 pF @ VDS=25V
反向恢复时间trr：120 ns
二极管正向电流IF：2 A
最大工作结温Tj：150 °C
封装：TO-247
AL02HT15N采用了AOS专有的高压沟槽栅场截止工艺，这一先进制程显著降低了单位面积下的导通损耗，同时提升了器件的开关速度与整体效率。其核心优势之一是具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=15V时典型值仅为1.7Ω，有效减少了大电流条件下的I2R损耗，从而提高系统能效并降低散热需求。该器件的1500V高击穿电压使其能够在高压环境中可靠运行，特别适用于电网连接设备或长距离电力传输场景中的过压保护。
另一个关键特性是出色的开关性能。AL02HT15N拥有较低的栅极电荷（Qg=60nC）和输入电容（Ciss=1100pF），这有助于减少驱动电路的功耗并加快开关响应速度，进而实现更高的PWM频率操作，缩小外围滤波元件尺寸，提升系统功率密度。此外，器件内部集成的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=120ns），可有效抑制换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强系统的抗扰度与安全性。
在可靠性方面，AL02HT15N经过严格的设计验证和老化测试，具备优良的雪崩能量耐受能力（EAS），可在突发过压或负载突变情况下维持不损坏。其最大结温可达150°C，支持宽温度范围工作，适应恶劣工业环境。TO-247封装不仅提供了良好的热传导路径，还增强了爬电距离与电气隔离性能，满足高压应用的安全规范要求。综上所述，AL02HT15N是一款集高耐压、低损耗、快响应与高可靠性于一体的理想选择，尤其适用于对效率与稳定性有严苛要求的高端电源系统。
AL02HT15N主要应用于各类高电压、中功率的开关电源系统中。典型使用场景包括太阳能光伏逆变器中的DC-AC转换级，作为主开关管承担高频斩波任务；在LED恒流驱动电源中用于隔离式反激拓扑结构，实现高效能光电转换；同时也常见于工业用高压直流电源、电信整流模块以及电子镇流器等设备中。此外，该器件还可用于电机驱动电路中的高压侧开关，支持泵升电压工况下的稳定运行。由于其具备较强的抗浪涌能力，也适合应用于电网波动较大的地区供电设备中，如离网型能源系统或备用电源装置。
AOH15N50
