型号：AL02GT15N
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：150 V
　　连续漏极电流（ID）：20 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　导通电阻（RDS(on)）：20 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V
　　最大栅源电压（VGS max）：+6.5 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：4.3 nF
　　输出电容（Coss）：1.1 nF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TOLL（TO-263-7L）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

AL02GT15N的核心特性之一是其基于GaN-on-Si技术的增强型结构，这种设计无需额外的负压驱动即可实现常关操作，极大简化了栅极驱动电路的设计复杂度，并提高了系统安全性。相较于传统的硅MOSFET，该器件在相同电压等级下具有更低的RDS(on)，显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用场景中表现突出。
　　另一个关键特性是其极低的开关损耗。由于氮化镓材料具有更高的电子迁移率和更优的二维电子气（2DEG）特性，AL02GT15N能够实现极快的开关速度，同时几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而消除了体二极管带来的损耗和电磁干扰问题。这使得它特别适合用于硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器以及同步整流电路中，在这些应用中，频繁的开关动作会导致传统器件产生显著功耗。
　　该器件还具备出色的热性能，得益于TOLL封装提供的大面积焊盘和优化的内部连接结构，能够有效将热量传导至PCB，提升散热效率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用需求。
　　在可靠性方面，AL02GT15N通过了严格的AEC-Q101认证，具备良好的抗浪涌能力和长期稳定性。内置的栅极保护机制可防止因过压或静电引起的损坏，增强了现场使用的鲁棒性。综合来看，AL02GT15N在效率、尺寸、可靠性和易用性之间实现了卓越平衡，代表了新一代功率半导体器件的发展方向。

AL02GT15N广泛应用于各类高效能电源转换系统中。其典型用途包括数据中心服务器电源中的图腾柱无桥PFC（Totem-Pole PFC）电路，利用其高频低损特性大幅提升整体能效并缩小系统体积。在通信电源领域，该器件可用于高密度AC/DC整流模块，满足5G基站对小型化和高效率的需求。此外，在工业电源设备中，如激光驱动器、焊接电源和UPS不间断电源，AL02GT15N能够支持更高频率的PWM控制，提高动态响应能力并降低滤波元件成本。
　　在新能源相关应用中，该器件也表现出色，例如用于车载OBC（车载充电机）和直流快充桩的DC/DC变换级，其实现更高的功率密度有助于减少充电设施的占地面积并提升充电效率。太阳能微型逆变器同样受益于AL02GT15N的高频开关能力，可在有限空间内集成更多功能，同时保持高MPPT效率。
　　此外，AL02GT15N还可用于高端消费类电源，如游戏主机适配器、高性能笔记本电脑电源等，满足日益增长的“绿色能源”标准。随着第三代半导体技术的普及，该器件正逐步替代传统超结MOSFET，成为下一代高效电源架构的关键组件。

EPC2212
　　LMG3410R050