型号：AL02BT8N0
　　制造商：onsemi（安森美）
　　封装类型：SOT-23-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输入电压范围：85 VAC ~ 265 VAC
　　启动电流：＜5 μA
　　工作电流：≈3 mA
　　最大占空比：约65%
　　开关频率：典型值65 kHz
　　控制模式：电流模式PWM
　　反馈类型：光耦反馈
　　集成高压启动：是
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）
　　符合标准：IEC62368、DoE Level VI、Energy Star

AL02BT8N0的核心特性之一是其高度集成的高压启动技术，该技术省去了传统辅助绕组或外部启动电阻的需求，显著简化了电源设计并降低了外围元件数量。在上电初期，芯片通过内部高压电流源直接从整流母线获取能量为VDD电容充电，当电压达到开启阈值后，控制器开始正常工作，并在后续运行中由辅助绕组供电。这一机制不仅提高了系统的可靠性，还有效缩短了启动时间，同时减少了静态功耗。
　　另一个关键优势是其高效的脉冲宽度调制（PWM）控制架构，采用固定频率电流模式控制，提供快速的负载瞬态响应和良好的线路调节能力。芯片内置斜坡补偿电路，确保在占空比大于50%时仍能维持环路稳定性，避免次谐波振荡问题。此外，AL02BT8N0引入了智能跳频控制逻辑，在轻载或空载条件下自动降低开关频率，从而大幅减少开关损耗和驱动损耗，实现极低的待机功耗，通常可控制在30mW以下，满足严苛的环保法规要求。
　　在保护机制方面，AL02BT8N0具备全面的故障检测与防护能力。过温保护（OTP）通过片内温度传感器实时监控结温，一旦超过设定阈值即触发锁存或打嗝模式；过压保护（OVP）监测反馈引脚电压，防止输出电压失控；而周期级电流限制则保障了功率MOSFET的安全运行。所有这些特性共同构建了一个坚固、高效且易于设计的电源解决方案，特别适合空间受限和高性价比要求的应用场景。

AL02BT8N0广泛应用于各类小功率离线式开关电源中，典型用途包括手机充电器、USB适配器、智能家居控制模块、无线路由器电源、LED照明驱动电源、安防摄像头供电单元以及白色家电中的辅助电源轨。由于其高集成度和优异的能效表现，该芯片也常被用于工业传感器、IoT网关设备和便携式医疗仪器等对可靠性和功耗有严格要求的领域。其紧凑的SOT-23-6封装使得PCB布局更加灵活，适合自动化贴装工艺，有利于大规模生产。此外，AL02BT8N0支持反激式拓扑结构，配合简单的外围电路即可构建隔离型电源系统，适用于需要电气隔离的家用电器和通信设备。得益于其良好的电磁兼容性（EMC）性能，设计者无需复杂的滤波网络即可通过传导和辐射干扰测试，加快产品上市进程。

NCP1020B, NCP1067x, VIPER12A