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AL02BT1N3 发布时间 时间:2025/12/26 2:38:53 查看 阅读:15

AL02BT1N3是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于低压、大电流的整流和续流场合。该器件采用先进的平面硅技术制造,具备低正向电压降和快速开关特性,能够有效提升电源转换效率并降低系统功耗。AL02BT1N3封装于紧凑的SOD-123FL超薄扁平封装中,具有优异的散热性能和空间利用率,非常适合对尺寸和能效要求较高的便携式电子设备和高密度电路板设计。其主要设计目标是在DC-DC转换器、电源管理模块、逆变器以及极性保护电路中提供高效、可靠的单向导电功能。由于其出色的热稳定性和可靠性,该器件可在较宽的温度范围内稳定工作,适用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信设备等多种应用场景。

参数

产品类型:肖特基势垒二极管
  通道数量:单通道
  反向重复电压(VRRM):20V
  最大正向平均电流(IF(AV)):2A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):50A
  最大正向电压(VF):0.48V @ 1A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 20V, 25°C
  结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(Rthj-a):250 K/W
  封装类型:SOD-123FL
  安装方式:表面贴装(SMD)
  极性:阴极为标记端

特性

AL02BT1N3的核心优势在于其低正向电压降与快速恢复特性,这使得它在高频开关电源中表现出色。当正向导通时,其典型正向压降仅为0.48V左右,在1A的工作电流下显著低于传统PN结二极管,从而大幅减少导通损耗,提高整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要,因为它可以直接延长续航时间。同时,由于肖特基二极管是多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此其反向恢复时间极短,通常在纳秒级别,几乎无反向恢复电荷(Qrr),避免了在高频切换过程中产生较大的电磁干扰(EMI)和电压尖峰,提升了系统的稳定性。
  该器件还具备良好的热性能和机械可靠性。SOD-123FL封装不仅体积小巧(仅约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm),而且引脚设计优化了焊接强度和热传导路径,有助于将芯片产生的热量更有效地传递至PCB,增强长期运行的稳定性。此外,其高达150°C的最大结温允许其在高温环境下可靠工作,适用于汽车电子或密闭空间内的电源模块。
  AL02BT1N3通过了多项国际标准认证,包括RoHS合规性和无卤素(Halogen-free)要求,符合现代绿色电子产品的环保趋势。其高浪涌电流承受能力(可达50A)也使其能够在瞬态过载条件下保持稳定,例如在电源启动或负载突变时提供保护作用。综合来看,这款二极管以其高效、紧凑、可靠的特性,成为现代电源设计中的理想选择之一。

应用

AL02BT1N3常用于各类需要高效整流和快速响应的电源电路中。典型应用包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换器续流二极管;在同步整流架构尚未普及的小功率电源适配器中作为输出整流元件;也可用作电池充电回路中的防反接保护二极管,防止因电源极性接反而损坏主控芯片。此外,在LED驱动电源、USB供电模块、嵌入式微控制器供电系统中,该器件凭借其低功耗和小尺寸优势被广泛采用。工业领域中,它可用于传感器供电单元、PLC模块的电源隔离以及通信接口的瞬态保护电路。由于其具备一定的抗浪涌能力,也可作为小型逆变器或电机驱动电路中的续流路径,抑制感性负载断开时产生的反电动势。总之,凡是要求高效率、小体积和高可靠性的低压直流系统,都是AL02BT1N3的理想应用场景。

替代型号

BAT54C, PMEG2010EH, SS24, SB220

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