电容值：200pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：陶瓷
　　类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层
　　绝缘电阻：≥10000MΩ·μF
　　最大厚度：0.5mm
　　推荐焊接温度：260°C（最大，30秒）

AL01CT3N201采用C0G（也称为NP0）类温度补偿型陶瓷介质，具有极高的电容稳定性。这种介质材料在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的电容变化不超过±30ppm/°C，几乎不受温度波动的影响，因此非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器和定时电路中。由于其零温度系数特性，该电容器在高频环境下表现出色，不会因温度变化引起谐振频率漂移，从而保证系统性能的一致性。
　　该器件的容差控制极为严格，达到±0.5pF，表明其在生产过程中采用了高精度的叠层和烧结工艺，确保每一批次产品都具备高度一致的电气特性。这对于射频匹配网络、精密模拟信号处理和高Q值滤波器至关重要，能显著减少调试时间和提高成品率。同时，C0G介质本身具有非常低的介电损耗（tanδ ≤ 0.1%），意味着能量损耗极小，有助于提升电路的整体效率和信噪比。
　　在结构方面，AL01CT3N201采用多层陶瓷堆叠技术，在微小的0402封装内实现稳定的200pF电容值。其内部电极通常使用贵金属如银钯合金，具有良好的导电性和抗迁移能力，增强了器件的长期可靠性。外部端子为镍阻挡层加锡镀层结构，提供了优异的可焊性和耐腐蚀性，适用于回流焊和波峰焊等多种SMT工艺。该设计还能有效防止铜扩散或焊料侵蚀导致的开路故障。
　　该电容器具备出色的抗湿性和机械强度，经过严格的湿度敏感等级（MSL）测试，通常达到MSL1级别，可在常温干燥环境中长期储存而不影响焊接质量。其高绝缘电阻（≥10000MΩ·μF）和低漏电流特性使其适用于高阻抗电路和采样保持电路等敏感应用。此外，由于无压电效应和非铁电性，C0G材质不会产生噪声或非线性失真，进一步提升了其在音频和精密测量设备中的适用性。

AL01CT3N201因其卓越的温度稳定性和低损耗特性，广泛应用于高频和高稳定性要求的电子电路中。常见用途包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，例如在无线通信设备如Wi-Fi模块、蓝牙收发器和蜂窝基站中用于LC谐振回路的构建。其精确的容差和稳定的电气性能确保了信号传输的准确性和系统的频率一致性。
　　在振荡器电路中，如晶体振荡器或压控振荡器（VCO），该电容器常被用作负载电容，直接影响振荡频率的精度和稳定性。由于C0G材料的温度系数接近于零，即使在环境温度剧烈变化的情况下，也能维持振荡频率不发生显著漂移，这对时钟同步、数据采样和通信协议的正常运行至关重要。
　　此外，该器件也适用于各类高性能滤波器设计，尤其是在带通、低通和高通滤波电路中作为关键元件，帮助滤除噪声并保留所需信号频段。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、ADC/DAC接口滤波和传感器信号调理电路中，AL01CT3N201能够提供可靠的去耦和耦合作用，同时避免引入额外的相位误差或信号失真。
　　由于其符合汽车级工作温度范围（-55°C至+125°C），该电容器也可用于车载电子系统，如发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的电源去耦和信号处理环节。同时，其无磁性和高可靠性特点使其适用于医疗电子、测试测量仪器和航空航天等高端领域。

GRM0335C1H201JA01D
　　CC0402JRNPO9BN201
　　CL21A201JAANNNC
　　EMK105B71H201KA-T