AL01CT0N6 时间：2025/12/26 1:11:19 阅读：14

AL01CT0N6是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的静电放电（ESD）保护和瞬态过压防护。该器件属于表面贴装型微型封装产品，适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备。AL01CT0N6的设计目标是在受到瞬间高压脉冲时迅速导通，将多余的能量泄放到地，从而保护后级敏感的集成电路免受损坏。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、USB接口、HDMI端口以及其他高速数据线路的保护。这款TVS二极管具有低电容特性，确保在高频信号传输过程中不会引入明显的信号失真或衰减，因此特别适合用于高速通信接口的防护设计。此外，AL01CT0N6符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造的要求。

参数

器件类型：TVS二极管
　　通道数：1
　　击穿电压（Vbr）：6.3 V
　　反向关断电压（Vrwm）：5.0 V
　　钳位电压（Vc）：9.2 V
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1.5 A
　　最大峰值脉冲功率（Pppm）：13.8 W
　　电容值（Ct）：15 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-882
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　极性：单向

特性

AL01CT0N6具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应高达数千伏的瞬态过压事件，例如人体模型（HBM）静电放电（ESD）冲击。其典型触发电压为6.3V，在正常工作条件下保持高阻抗状态，不影响主信号路径的工作；一旦检测到超过阈值的电压突增，器件会立即进入低阻抗导通模式，将浪涌电流引导至地线，有效钳制输出端电压在安全范围内。
　　该器件的低动态电阻和快速响应时间（通常在纳秒级别）使其能够应对IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）等严苛的国际抗扰度测试标准。同时，其仅有约15pF的寄生电容，确保了在高速数据线路如USB 2.0、I2C、UART等应用中不会造成明显的信号完整性下降或高频衰减，支持高达数百Mbps的数据传输速率而无需额外补偿。
　　采用SOD-882小型化封装，AL01CT0N6占用PCB面积极小，仅为约1.0mm × 0.6mm，非常适合用于紧凑型消费类电子产品内部的空间优化布局。该封装还具备良好的热传导性能，有助于在多次浪涌事件中稳定散热，延长器件寿命。
　　此外，AL01CT0N6通过AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在高温、高湿、振动等恶劣环境下仍能保持稳定的电气性能，可用于部分车载电子系统的次级保护电路。其无卤素（Halogen-free）材料构成也满足现代电子产品对环保与安全的严格要求。整体而言，这是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的ESD保护解决方案。

应用

广泛应用于便携式消费电子产品中的接口保护，如智能手机和平板电脑的USB Type-A/C端口、音频插孔、SIM卡槽、TF卡接口等；也可用于工业控制设备中对传感器信号线的瞬态干扰抑制；在通信模块中为RS-232、I2C、SPI等低电压逻辑接口提供ESD防护；此外还可部署于智能家居设备、物联网终端以及汽车信息娱乐系统中的辅助电路保护。