型号：AL01BT2N4
　　晶体管类型：NPN-PNP 配对双极型晶体管
　　集电极-发射极击穿电压 (VCEO)：NPN 部分 50V，PNP 部分 50V
　　发射极-基极反向电压 (VEBO)：NPN 部分 5V，PNP 部分 5V
　　集电极最大持续电流 (IC)：NPN 部分 100mA，PNP 部分 100mA
　　总功耗 (Ptot)：225mW
　　直流电流增益 (hFE)：典型值 340，在 IC = 10mA 时
　　增益带宽积 (fT)：NPN 部分 200MHz，PNP 部分 200MHz
　　饱和压降 (VCE(sat))：在 IC = 10mA 时典型值为 0.12V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-363（SC-88）
　　引脚数：6
　　极性：互补配对（NPN + PNP）
　　配置：共发射极通用配对
　　热阻结-环境 (θJA)：约 550°C/W

AL01BT2N4 具备出色的电气匹配特性，其内部集成的 NPN 和 PNP 晶体管经过优化设计，确保了高度一致的电流增益（hFE）和温度响应行为，这对于构建高性能差分放大器至关重要。这种匹配性能可以显著降低信号失真，提升共模抑制比（CMRR），广泛应用于精密模拟前端和音频前置放大电路中。此外，该器件具有较高的增益带宽积（fT 达到 200MHz），使其不仅适用于低频放大，也能胜任高频小信号处理任务，如射频缓冲级或高速开关应用。其低饱和压降特性（VCE(sat) 典型值仅为 0.12V）有效减少了导通损耗，提高了能效表现，尤其在电池供电设备中具有重要意义。
　　该器件采用 SOT-363 超小型表面贴装封装，尺寸紧凑（通常为 2.0 x 2.1 x 0.9mm），非常适合高密度印刷电路板布局，满足现代电子产品对微型化和轻薄化的需求。同时，由于两个晶体管集成在同一芯片上，它们之间具有良好的热耦合效应，能够实现快速的温度均衡，避免因温差导致的工作点漂移，增强了长期运行的稳定性。AL01BT2N4 还具备较强的环境适应能力，可在 -55°C 至 +150°C 的宽结温范围内正常工作，适用于严苛工业环境下的控制系统、传感器接口电路以及汽车电子中的辅助模块。其可靠性经过严格测试，符合 AEC-Q101 等车规级认证标准（视具体批次而定），具备良好的抗静电能力和耐久性。整体而言，AL01BT2N4 是一款集高性能、高集成度与高可靠性于一体的互补配对晶体管解决方案。

AL01BT2N4 广泛应用于需要精确匹配和互补特性的模拟与混合信号电路中。常见用途包括音频放大器的输入级与推动级，特别是在便携式音响设备、耳机放大器和语音采集系统中，利用其低噪声和高增益特性实现高质量信号放大。在传感器信号调理电路中，该器件常被用于构建差分放大结构，以增强微弱信号的提取能力并抑制共模干扰，适用于压力传感器、温度传感模块及生物电信号检测设备。
　　此外，AL01BT2N4 也适用于各类开关电源中的驱动电路，作为预驱动级控制功率 MOSFET 或 IGBT 的导通与关断，凭借其快速响应能力和低输出阻抗，可有效减少开关延迟和交叉导通风险。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它可用于背光驱动、LED 闪烁控制或电源路径管理等功能模块。工业自动化控制系统中，该器件可用于光电耦合器后的信号恢复、继电器驱动接口或逻辑电平转换电路。由于其支持轨到轨摆幅输出且静态功耗较低，因此在低电压、低功耗应用场景下表现出色，例如电池管理系统（BMS）、无线传感节点和嵌入式微控制器外围电路。总之，AL01BT2N4 凭借其优异的匹配性、高频响应和小型封装，成为众多高性能模拟设计的理想选择。