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AISC-1008-R82G-T 发布时间 时间:2025/8/7 1:54:46 查看 阅读:15

AISC-1008-R82G-T是一款由Alliance Memory, Inc.制造的异步静态随机存取存储器(SRAM)集成电路。该芯片具有8Mbit的存储容量,组织方式为1M×8位,支持高速异步操作,适用于需要快速读写性能但不要求同步时钟控制的应用场景。封装类型为TSOP(薄型小外形封装),符合RoHS环保标准,适用于多种工业和商业设备。

参数

容量:8Mbit
  组织结构:1M×8位
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  引脚数量:54
  工作模式:异步
  最大读取电流:180mA
  最大待机电流:10mA

特性

AISC-1008-R82G-T采用高性能CMOS技术制造,确保低功耗和高可靠性。
  该SRAM具有异步控制信号,如片选(CE)、写使能(WE)和输出使能(OE),允许直接与各种微处理器和控制器连接。
  其高速访问时间为10ns,适用于需要快速数据存取的应用,例如网络设备、通信系统和工业控制设备。
  该芯片的TSOP封装设计提供了优良的热管理和空间节省能力,适合高密度PCB布局。
  此外,AISC-1008-R82G-T符合RoHS标准,无铅且符合现代环保要求,适合全球范围内的绿色电子产品设计。

应用

AISC-1008-R82G-T SRAM芯片广泛用于需要高速数据缓冲和临时存储的应用,如路由器、交换机、嵌入式系统、测试设备、工业自动化控制器以及消费类电子产品中的临时数据存储模块。

替代型号

ISSI IS61LV10248ALLB4-10BLI、Cypress CY62148EDEI-45ZS、Renesas IDT71V124SA8Y.10T

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AISC-1008-R82G-T参数

  • 标准包装2,000
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列AISC-1008
  • 电感820nH
  • 电流400mA
  • 电流 - 饱和-
  • 电流 - 温升-
  • 类型陶瓷芯体 - 绕线
  • 容差±2%
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 1.61 欧姆
  • Q因子@频率45 @ 100MHz
  • 频率 - 自谐振350MHz
  • 材料 - 芯体陶瓷
  • 封装/外壳1008(2520 公制)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试25MHz
  • 其它名称AISC-1008-R82G-TTR