类型：功率因数校正模块
　　技术：碳化硅（SiC）MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ
　　栅极电荷（QG）：典型值
　　短路耐受能力：支持
　　封装尺寸：符合行业标准
　　热阻（Rth）：低热阻设计以提高散热效率

AIMCQ120R020M1T模块采用了先进的碳化硅MOSFET技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，从而显著降低了导通损耗和开关损耗。其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压输入的应用。模块的封装设计优化了热管理和电气性能，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，该模块具有优异的短路保护能力，能够在极端条件下提供可靠的保护。碳化硅材料的宽禁带特性还使得模块在高温环境下仍能保持良好的性能，减少了对复杂冷却系统的依赖。
　　该模块还集成了高效的功率因数校正功能，能够显著提高电源系统的功率因数，减少无功功率的损耗。其紧凑的封装设计和高集成度使得电源设计更加简洁，节省了PCB空间并降低了整体成本。模块的高可靠性和长寿命特性使其非常适合用于需要长时间连续运行的工业和高可靠性应用。

AIMCQ120R020M1T广泛应用于各种高功率密度和高效率的电源系统中。常见的应用包括工业电源、服务器电源、电信电源、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电系统）、电动车充电设备以及储能系统。由于其高耐压能力和高效能特性，该模块也适用于电网基础设施和智能电网设备中的功率因数校正环节。此外，它还可以用于高功率LED照明系统、医疗电源设备以及自动化控制系统中的电源模块。

AIMCQ120R040M1T, AIMCQ120R060M1T, AMZ120CTM120PPC