时间：2025/3/25 10:59:56
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AIKQ120N60CT 是一款由安森美（onsemi）生产的高压功率MOSFET，采用N沟道增强型设计。这款器件主要适用于高电压和大电流应用场合，其耐压能力高达600V，能够承受较大的漏源电压。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而提升效率并减少发热。此外，AIKQ120N60CT还具备出色的开关性能，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。
由于其坚固的设计和高可靠性，这款芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各类开关模式电源（SMPS）领域。AIKQ120N60CT的封装形式为TO-247-3，这种封装不仅散热性能良好，而且便于安装与维护。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：120A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：185nC（典型值）
输入电容：3350pF（典型值）
功耗：144W
工作结温范围：-55℃至175℃
AIKQ120N60CT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为600V，确保在高电压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻，典型值仅为1.8mΩ，可显著降低传导损耗。
3. 支持大电流操作，连续漏极电流可达120A，满足高功率应用需求。
4. 快速开关性能，低栅极电荷和输入电容有效减少了开关损耗。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃），适应多种环境条件。
6. TO-247-3封装提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
AIKQ120N60CT因其优异的性能和可靠性，被广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 工业电机驱动及控制电路。
3. 不间断电源（UPS）阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
5. 电动汽车充电器和电池管理系统。
6. 各种需要高电压、大电流处理能力的电力电子设备。
AIOK120N60CT, FCH093N65S3, IRFP260N
