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AGQ200A12Z 发布时间 时间:2025/5/8 15:08:32 查看 阅读:5

AGQ200A12Z是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在要求高效率和紧凑设计的应用中使用。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,通常用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路以及逆变器等场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(典型值,当Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):75W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

AGQ200A12Z具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,能够适应高频工作条件下的应用需求。
  3. 出色的热稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
  4. 强大的过流保护功能,确保在异常情况下不会轻易损坏。
  5. 封装形式兼容性强,便于集成到各种电路设计中。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

这款MOSFET适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机控制和驱动电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 光伏逆变器和其他新能源相关设备。
  6. 各类消费电子产品中的高效电源管理方案。

替代型号

AQG200A12Z, IRF2807, FQP18N20

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AGQ200A12Z参数

  • 特色产品Space-Saving, High-Reliability Signal Relays
  • 类别继电器
  • 家庭信号,高达 2 A
  • 系列AGQ
  • 继电器类型电信
  • 线圈类型无锁存
  • 线圈电流11.7mA
  • 线圈电压12VDC
  • 触点形式DPDT(2 C 型)
  • 触点额定值(电流)2A
  • 切换电压125VAC,110VDC - 最小值
  • 关闭电压(最大)9 VDC
  • 关闭电压(最小)1.2 VDC
  • 特点-
  • 安装类型表面贴装
  • 端接类型鸥翼型
  • 包装带卷 (TR)
  • 触点材料银钯(AgPd),金(Au)
  • 操作时间4ms
  • 释放时间4ms
  • 线圈功率140 mW
  • 线圈电阻1.03 千欧
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 其它名称255-1858-2AGQ200A12Z-ND