时间：2025/5/8 15:08:32
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AGQ200A12Z是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在要求高效率和紧凑设计的应用中使用。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，通常用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路以及逆变器等场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（典型值，当Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：75W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
AGQ200A12Z具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，能够适应高频工作条件下的应用需求。
3. 出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
4. 强大的过流保护功能，确保在异常情况下不会轻易损坏。
5. 封装形式兼容性强，便于集成到各种电路设计中。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
这款MOSFET适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 光伏逆变器和其他新能源相关设备。
6. 各类消费电子产品中的高效电源管理方案。
AQG200A12Z, IRF2807, FQP18N20
