AFN4172WSS8RG 时间：2025/9/13 11:10:33 阅读：11

AFN4172WSS8RG 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等需要高效功率控制的场合。该型号采用 SO-8 封装，适合表面贴装工艺。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：4.3A
　　导通电阻(Rds(on))：33mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SO-8
　　安装类型：表面贴装

特性

AFN4172WSS8RG 具有多个优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流工作状态下的功率损耗，从而提高了系统效率并减少了散热需求。该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，使其能够适用于多种中低电压功率转换应用。此外，其 ±20V 的栅源电压耐受能力提供了更高的驱动灵活性，允许使用更高电压的栅极驱动器以确保完全导通。
　　该器件采用了 STMicroelectronics 的先进制造工艺，具有出色的耐用性和稳定性。在高温环境下，其性能衰减较小，确保了长期运行的可靠性。此外，SO-8 封装形式不仅减小了 PCB 占用空间，还便于实现自动化装配，提高了生产效率。
　　AFN4172WSS8RG 的最大连续漏极电流为 4.3A，在适当的散热条件下可维持稳定工作，适用于中等功率级别的应用。其 2.5W 的总功耗设计确保了在紧凑型设计中仍能保持良好的热管理性能。该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在突发负载或电压尖峰情况下的稳定性。

应用

AFN4172WSS8RG 主要应用于电源管理系统，包括但不限于同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统。其低导通电阻和高效率特性使其成为高效电源转换的理想选择。此外，该器件也适用于工业控制设备、便携式电子产品、智能家电以及各种需要功率开关功能的嵌入式系统。由于其良好的热稳定性和紧凑的封装，特别适合空间受限且对效率要求较高的设计场景。