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AFN3406S23RG 发布时间 时间:2025/8/25 0:20:51 查看 阅读:12

AFN3406S23RG是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率的电源转换应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于诸如DC-DC转换器、同步整流、电源管理模块以及各种高频功率转换设备。AFN3406S23RG采用SOT-23封装,具备小型化和轻量化的优点,适用于对空间要求较高的便携式电子设备和工业控制系统。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6.5A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):23mΩ(最大值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23

特性

AFN3406S23RG具有多个关键特性,使其在高频率和高效率的电源系统中表现出色。首先,该MOSFET的导通电阻非常低,典型值为23mΩ,这有助于减少导通损耗,提高整体能效。其次,它具备高栅极电荷(Qg)特性,但仍然保持了良好的开关性能,适用于高频开关应用。此外,该器件具有出色的热稳定性,能够在较高的工作温度下维持稳定性能,从而提高了系统的可靠性。
  AFN3406S23RG的SOT-23封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能。这种封装形式适用于自动贴片生产线,提高了生产效率和组装可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和卤素,适用于绿色环保的电子产品设计。
  在电气特性方面,AFN3406S23RG具有快速开关速度,可降低开关损耗,并在高频率下保持良好的效率。其低阈值电压(Vgs(th))确保了在较低的栅极驱动电压下也能正常导通,增强了与各种控制器和驱动电路的兼容性。

应用

AFN3406S23RG广泛应用于多个领域,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制、电源管理单元以及各类高频率开关电源。其紧凑的SOT-23封装也使其适用于便携式设备、通信设备、工业自动化和消费类电子产品。

替代型号

FDN3406A, FDS6680, IRF7404, Si2302DS

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