时间：2025/7/22 17:04:08
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AFN2304S23RG是一款由Diodes Incorporated制造的双路N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、低电压和高频开关应用，具有低导通电阻和优异的热性能。AFN2304S23RG采用节省空间的TSOT23封装，适用于便携式电子设备、电源管理和电池供电系统等应用场景。
类型：双路N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6A（单个通道）
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：36mΩ @ VGS=10V，23mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOT23
AFN2304S23RG的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在VGS为10V和4.5V时分别具有36mΩ和23mΩ的RDS(ON)，支持在不同工作条件下保持优异的性能。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，单个通道的最大漏极电流可达6A，适用于需要高功率密度的设计。
另一个关键特性是其宽泛的栅极-源极电压范围，允许在高达±20V的电压下工作，这提高了器件在各种控制电路中的兼容性和稳定性。该器件的TSOT23封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下维持较低的结温。
AFN2304S23RG还具备快速开关特性，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，该MOSFET的高可靠性设计确保了在恶劣环境条件下仍能稳定运行，例如高温或频繁的负载变化。
AFN2304S23RG广泛应用于多个领域，包括便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电池供电设备。其高效率和小尺寸特性使其成为移动设备和嵌入式系统中理想的功率开关器件。
在电源管理系统中，该MOSFET可用于电池保护电路、负载切换以及多路电源管理。由于其快速开关能力和低导通电阻，它也常用于同步整流和高效能Buck/Boost转换器的设计中。此外，AFN2304S23RG在工业自动化设备和消费类电子产品中也有广泛应用，如智能手表、无线耳机、小型无人机等。
SI2304DS, AO3400A, BSS138K
