类型：射频晶体管
　　晶体管类型：NPN 或 PNP（具体取决于型号）
　　最大集电极电流（Ic）：150 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
　　最大功耗（Ptot）：100 mW
　　频率范围：最高可达 1 GHz
　　增益（hfe）：60 - 450（取决于工作条件）
　　封装类型：SOT-23 或 TO-92

AFJ3 射频晶体管具备优异的高频性能，能够在 1 GHz 以上的频率范围内稳定工作。其高增益特性使其成为低噪声放大器（LNA）和前置放大器的理想选择。此外，该器件的低功耗特性有助于提高系统的能效，适用于便携式通信设备和电池供电系统。AFJ3 的封装设计紧凑，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该晶体管的制造工艺采用先进的硅双极或 GaAs（砷化镓）技术，确保在高频条件下仍具有良好的线性度和失真控制。其低噪声系数（Noise Figure）和高动态范围，使其在接收机前端和信号增强系统中表现出色。此外，AFJ3 在温度变化范围内表现出良好的稳定性，能够在工业级温度范围内（-40°C 至 +85°C）正常工作。

AFJ3 主要应用于射频和微波电路中的信号放大，尤其是在无线通信设备中，如蜂窝基站、Wi-Fi 接入点、蓝牙模块和 Zigbee 设备。此外，它还广泛用于测试和测量设备，如频谱分析仪和信号发生器，以提供高精度的信号放大功能。AFJ3 也常见于广播设备和卫星通信系统中的低噪声放大器设计中，用于提高接收信号的清晰度和稳定性。

BFQ19, BFQ30, 2N3904, BF199