AFGY100T65SPD 时间：2025/4/28 18:50:01 阅读：2

AFGY100T65SPD是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率器件，专为高效率和高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。其额定电压为650V，额定电流为100A，广泛适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）和其他工业电力电子系统。
　　该芯片在高温环境下的表现尤为突出，能够有效降低系统的能量损耗并提升整体效能。

参数

额定电压：650V
　　额定电流：100A
　　导通电阻：12mΩ
　　栅极电荷：90nC
　　反向恢复时间：75ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-247-4L

特性

AFGY100T65SPD采用了碳化硅材料，具备卓越的电气性能和可靠性。其主要特性如下：
　　1. 高耐压能力：650V的额定电压使其能够在高压环境下稳定运行。
　　2. 超低导通电阻：仅为12mΩ，显著降低了导通损耗。
　　3. 快速开关速度：由于栅极电荷较低（90nC），能够实现高频开关操作，减少磁性元件体积。
　　4. 出色的热管理：支持高达175℃的工作温度，并且散热性能优异。
　　5. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保在恶劣条件下的长期稳定性。
　　6. 四脚封装设计：提供额外的源极引脚，便于Kelvin连接以优化驱动回路性能。

应用

AFGY100T65SPD适用于多种高功率密度和高效率需求的应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 太阳能逆变器：提高能源转换效率，降低系统成本。
　　2. 电动汽车充电桩：支持快速充电功能，优化热管理和空间利用率。
　　3. 不间断电源（UPS）：增强动态响应能力和系统可靠性。
　　4. 工业电机驱动：实现精确控制和高效能量传输。
　　5. 开关电源（SMPS）：适用于大功率AC-DC或DC-DC转换器，提升整体性能。