时间：2025/5/8 16:51:34
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AFGHL75T65SQ 是一款基于硅 carbide（SiC）技术的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于高频、高效率功率转换场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关频率特性，适用于工业电源、电动汽车充电设备、光伏逆变器等领域。
该型号采用了 TO-247 封装形式，便于散热管理，同时具备良好的电气性能和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：75A
导通电阻：3.8mΩ
栅极电荷：125nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
AFGHL75T65SQ 提供了卓越的热性能与电气性能。其采用 SiC 技术制造，相比传统硅基 MOSFET 具有更低的开关损耗和更高的能量密度。
此外，该器件还支持更高的结温操作，确保在极端环境下的可靠运行。低栅极电荷设计使其能够实现快速开关，从而提升系统效率。
它也集成了内置二极管功能，进一步优化了电路设计并减少了外部元件的需求。这些特点共同使得 AFGHL75T65SQ 成为高效功率转换应用的理想选择。
该器件适用于多种高要求的应用领域，包括但不限于：
1. 工业电源供应器
2. 不间断电源（UPS）
3. 电动汽车充电桩
4. 太阳能逆变器
5. 电机驱动器
6. 高频 DC-DC 转换器
由于其出色的效率和高频性能，AFGHL75T65SQ 特别适合需要高性能功率转换的场合。
C2M0080120D
FGL75T65SQ
