时间：2025/11/4 10:19:34
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ADuM3190WTRQZ是一款由Analog Devices（亚德诺半导体）推出的高性能、高隔离度的单通道隔离式栅极驱动器。该器件专为驱动高功率MOSFET、IGBT和SiC（碳化硅）等功率开关器件而设计，广泛应用于工业电机控制、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）以及工业电源等需要高可靠性和高效率隔离驱动的场合。ADuM3190采用ADI独有的iCoupler?技术，结合了高速CMOS工艺与芯片级变压器技术，实现了信号的磁耦合传输，从而在输入与输出之间提供可靠的电气隔离。该器件具备高达5 kV rms的隔离耐压能力，并符合UL 1577和IEC 60747-5-2等国际安全标准，确保在高压环境下的安全运行。
ADuM3190WTRQZ具有出色的传播延迟特性，典型值低至80 ns，同时具备极小的器件间延迟匹配，有助于提高多相系统的同步精度。其驱动输出电流能力高达4 A峰值，能够快速充放电功率管的栅极，显著降低开关损耗，提升系统效率。此外，该器件工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适用于严苛的工业环境。封装方面，ADuM3190WTRQZ采用16引脚SOIC_W封装，带有增强型爬电距离设计，进一步提升了在高污染等级环境下的绝缘可靠性。
型号：ADuM3190WTRQZ
通道数：1
隔离电压：5000 V rms
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
供电电压（VDD1）：3.0 V 至 5.5 V
供电电压（VDD2）：12 V 至 20 V
输出峰值电流：±4 A
传播延迟典型值：80 ns
上升时间（10%至90%）：15 ns
下降时间（90%至10%）：12 ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：150 kV/μs
封装类型：16引脚SOIC_W
安全认证：UL 1577、IEC 60747-5-2
最大开关频率：1 MHz
ADuM3190WTRQZ的核心优势在于其基于iCoupler?技术实现的高性能信号隔离能力。该技术利用片上变压器进行数据传输，避免了传统光耦合器中LED老化、温度漂移和速度受限等问题，从而提供了更长的使用寿命和更高的稳定性。器件的高共模瞬态抗扰度（CMTI）达到150 kV/μs，使其能够在高噪声、高dv/dt环境中保持稳定工作，有效防止误触发导致的直通故障，这对于使用SiC或GaN等宽禁带器件的高频开关系统尤为重要。
该驱动器具备精确的传播延迟控制和极低的延迟温漂，确保在整个温度范围内都能维持一致的时序性能，有利于实现高精度PWM控制。其输出级采用图腾柱结构，提供高达±4 A的峰值拉灌电流，能够高效地驱动大栅极电荷的功率器件，缩短开关过渡时间，降低动态损耗。此外，ADuM3190内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当次级侧供电电压低于安全阈值时会自动关闭输出，防止因栅压不足导致的功率管非饱和导通，从而保护后级电路。
器件支持高达1 MHz的开关频率，适用于高频谐振变换器和软开关拓扑。其单通道独立配置允许灵活布局，适合半桥、全桥及多相驱动应用。电源设计方面，原边可兼容3.3 V或5 V逻辑电平，便于与DSP、MCU或FPGA直接接口；副边则需外部提供12–20 V偏置电源，以满足不同功率器件的正向导通与负向关断需求。整体设计简化了隔离电源架构，提升了系统集成度和可靠性。
ADuM3190WTRQZ广泛应用于各类需要高可靠性隔离驱动的电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于伺服驱动器和变频器中的IGBT模块驱动，保障控制系统与高压主电路之间的安全隔离。在新能源发电系统如光伏逆变器和风力发电变流器中，该器件凭借其高CMTI和快速响应能力，能有效应对复杂的电磁干扰环境，提升系统并网质量与效率。在电动汽车基础设施中，ADuM3190被用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率级驱动，支持SiC MOSFET的高频开关操作，助力实现更高功率密度和更快充电速度。
在通信电源和服务器PSU等高端电源设备中，该器件可用于LLC谐振转换器或有源钳位反激拓扑中的同步整流或主开关驱动，提高能效并满足严格的EMI要求。此外，在医疗电源和测试测量仪器中，由于其符合严格的安全隔离标准，ADuM3190也常被选用以确保患者和操作人员的安全。其宽温工作能力和高长期稳定性也使其适用于户外和恶劣工业环境下的嵌入式控制系统。
ADuM3190BRWZ
ADuM3190WTRZ
SI82391BD-C-IS
