时间：2025/6/29 6:15:22
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ADTVSHC3N12VU 是一款基于硅技术的高电压、低电容 TVS（瞬态电压抑制器）二极管。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、浪涌和其他瞬态电压威胁而设计。
其特点是具有快速响应时间和较低的箝位电压，能够有效吸收瞬态电流并保护电路中的后续组件。此型号适用于需要高可靠性和高性能保护的应用场景。
工作电压：12V
峰值脉冲电流：±25A
最大反向工作电压：12.8V
击穿电压：13.4V
箝位电压：26.9V
结电容：1.0pF
响应时间：≤1ps
封装形式：SOD-123FL
ADTVSHC3N12VU 提供了卓越的 ESD 和瞬态电压保护性能。它采用了先进的硅制造工艺，确保器件在承受多次瞬态事件后仍能保持稳定的性能。
其低电容设计非常适合高频信号线路保护，例如高速数据接口和射频电路。
此外，该器件的紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择，同时具备较高的环境耐受性，能够在广泛的温度范围内稳定运行。
主要特点包括：
1. 低动态电阻，从而降低箝位电压，提高保护效果。
2. 快速响应时间，可迅速抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的结构设计，适合长期使用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
ADTVSHC3N12VU 广泛应用于各种需要瞬态电压保护的场合，特别是在通信、消费电子和工业领域中。
典型应用包括：
1. USB、HDMI 和其他高速数据接口的 ESD 保护。
2. 射频前端模块的瞬态电压防护。
3. 工业自动化设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的电源线和信号线防护。
5. 消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电路保护。
由于其低电容特性，该器件特别适合用于高频和高速信号路径中，而不影响信号完整性。
PESD12NA4LHT, SM12A-TP, SMAJ12A
