类型：JFET输入运算放大器
　　通道数：4
　　电源电压（单电源）：10 V至36 V
　　电源电压（双电源）：±5 V至±18 V
　　输入偏置电流：30 pA（典型值）
　　输入失调电压：3 mV（最大值）
　　单位增益带宽：3 MHz（典型值）
　　转换速率：13 V/μs（典型值）
　　输入阻抗：>10^12 Ω（典型值）
　　输出电流：±25 mA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOIC-14 或 PDIP-14
　　噪声电压（1 kHz）：18 nV/√Hz（典型值）
　　共模抑制比（CMRR）：90 dB（典型值）
　　电源抑制比（PSRR）：90 dB（典型值）
　　压摆率：13 V/μs
　　增益带宽积：3 MHz

ADTL084JRZ的核心优势在于其JFET输入级结构，这种设计赋予了它极高的输入阻抗和极低的输入偏置电流。这一特性使其特别适合用于连接高阻抗传感器或信号源，例如光电二极管、压电传感器、pH探头、电容式麦克风等，在这些应用场景中，任何微小的输入电流泄漏都可能导致显著的测量误差。由于输入级采用结型场效应晶体管（JFET），其输入偏置电流在室温下仅为30 pA，远低于普通双极型输入运放（如LM741等），从而大大减少了因偏置电流引起的失调误差和温度漂移问题。此外，该器件的输入阻抗高达10^12欧姆以上，几乎不会对前级电路造成负载效应，确保了信号完整性。
　　在动态性能方面，ADTL084JRZ具备3 MHz的单位增益带宽和13 V/μs的压摆率，支持在中频范围内实现快速响应和稳定放大，适用于音频前置放大、有源滤波器、积分器和电压跟随器等多种线性应用。其低噪声特性（18 nV/√Hz @ 1 kHz）也保证了在小信号处理时的信噪比表现优异。该器件具有良好的直流精度，输入失调电压最大为3 mV，且随温度变化较小，结合90 dB的共模抑制比和电源抑制比，能够在复杂电磁环境中保持稳定的增益和偏移性能。
　　ADTL084JRZ还具备较强的输出驱动能力，可提供±25 mA的输出电流，足以驱动大多数中等阻抗负载（如50 Ω至600 Ω）。其宽电源电压范围（±5 V至±18 V）使其兼容多种系统供电架构，无论是电池供电便携设备还是工业级固定装置均可使用。器件内部集成保护电路，具备一定的过载和短路耐受能力，提高了系统的可靠性。所有四个运放单元均经过激光修整以优化匹配性和长期稳定性，确保多通道系统中的一致性。

ADTL084JRZ因其高输入阻抗、低偏置电流、低噪声和良好的动态响应，被广泛应用于多个领域。在测试与测量设备中，常用于构建高精度电压跟随器、电流-电压转换器（跨阻放大器）以及传感器信号调理电路，尤其是在光电检测系统中作为光电二极管的前置放大器，能够有效捕捉微弱光信号并将其转换为可用的电压输出。在工业自动化系统中，该器件可用于压力、温度、流量等传感器的信号放大与滤波处理，提升系统的测量精度和抗干扰能力。
　　在医疗电子设备中，ADTL084JRZ可用于生物电信号采集前端，如心电图（ECG）、脑电图（EEG）等微弱生理信号的放大，得益于其低噪声和高共模抑制比，能够有效抑制工频干扰和其他环境噪声。在音频处理系统中，该运放适用于前置放大、音调控制、有源滤波等环节，提供清晰、低失真的声音再现。
　　此外，ADTL084JRZ也常见于数据采集系统（DAQ）、示波器前端、函数发生器、锁相环（PLL）电路以及模拟计算电路中。其四通道集成设计使得在一个封装内可实现多个功能模块，节省PCB空间并降低系统复杂度。在科研实验装置和教育类电子仪器中，由于其性能稳定、易于使用且无需复杂的补偿网络，也成为首选的通用型JFET运放之一。

ADTL084ARZ
　　ADTL084BN
　　TL084CN
　　TL084BCN