类型：有源混频器
　　封装/外壳：24-LFQFP（CP-24）
　　供应商封装：24-LFCSP（CP-24）
　　安装类型：表面贴装
　　最低工作温度：-40°C
　　最高工作温度：+85°C
　　供电电压：典型5V或3.3V（双电源或单电源可选）
　　静态电流：约120mA（典型值）
　　本振（LO）驱动电平：+0 dBm 至 +10 dBm 可调
　　RF输入频率范围：50 MHz 至 2.5 GHz
　　LO频率范围：50 MHz 至 2.5 GHz
　　IF输出频率范围：DC 至 500 MHz
　　转换增益：约8.5 dB（典型值）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+18 dBm（典型值）
　　单边带噪声系数（SSB NF）：约11 dB（典型值）
　　LO至RF泄漏：<-45 dBm
　　LO至IF泄漏：<-50 dBm
　　RF至IF隔离：>-30 dB
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

ADL5363ACPZ-R7具备多项先进特性，使其成为高性能射频系统中的理想选择。首先，它采用了集成化的吉尔伯特单元混频架构，结合片内LO缓冲器，显著降低了对外部LO驱动功率的要求，同时提高了LO信号的稳定性与驱动能力。这使得系统可以使用较低功率的本地振荡源，从而降低整体功耗和成本。其次，该器件在RF输入端提供了良好的阻抗匹配（通常为50Ω），无需额外的匹配网络即可实现高效信号耦合，极大简化了PCB布局设计。其高输入三阶交调截点（IIP3）达到+18dBm，意味着在强信号环境下仍能保持出色的线性性能，有效抑制互调失真，提升接收机动态范围。
　　另外，ADL5363提供差分中频输出结构，支持灵活的交流耦合或变压器耦合连接方式，便于与后续ADC或IF放大器接口。差分输出不仅增强了共模噪声抑制能力，还提升了信号完整性。器件的转换增益典型值为8.5dB，减少了对后级放大器的需求，有助于降低系统噪声系数和功耗。其单边带噪声系数约为11dB，在同类有源混频器中表现优异，适用于弱信号接收场景。
　　ADL5363还具备优秀的端口间隔离性能，包括LO-RF、LO-IF和RF-IF之间的高隔离度，有效防止信号串扰和回送干扰，保障系统稳定性。该芯片支持宽频带操作，RF和LO均可覆盖从50MHz到2.5GHz的频率范围，适用于多频段、宽带通信系统，如蜂窝基站、微波点对点链路和宽带监视设备。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级环境要求，适合在恶劣条件下长期运行。电源方面支持3.3V和5V双模式供电，兼容多种系统电源架构，并可通过使能控制引脚实现功耗管理，进一步增强节能能力。

ADL5363ACPZ-R7广泛应用于需要高性能混频功能的射频系统中。典型应用场景包括蜂窝通信基站的接收前端模块，其中用于将接收到的高频射频信号下变频为中频信号以便于后续处理；在宽带无线通信系统如WiMAX、LTE及5G小基站中，该混频器可用于实现多频段信号的灵活转换。此外，在测试与测量仪器领域，例如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，ADL5363因其高线性度和低噪声特性而被用作关键的频率转换组件。
　　在国防与航空航天电子系统中，该器件适用于电子战（EW）接收机、雷达前端和通信侦察设备，能够处理复杂的宽频带信号并保持高保真度。软件定义无线电（SDR）平台也常采用ADL5363，因其宽频率覆盖能力和良好的动态性能，支持多种调制格式和协议的实时切换。此外，在卫星通信地面站、微波回传链路和宽带监控系统中，该混频器可用于构建高灵敏度、高选择性的接收通道。
　　由于其差分输出结构和良好的驱动能力，ADL5363还可与高速模数转换器（ADC）直接接口，简化模拟前端设计，适用于直接中频采样架构。其紧凑的LFCSP封装也有利于高密度PCB布局，适合空间受限的应用场合。总体而言，ADL5363是一款适用于通信、工业和军事领域的高性能有源混频器解决方案。

ADL5360
　　ADL5362
　　HMC773A