时间：2025/6/10 17:32:20
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ADESDUC523T5VU 是一款基于先进半导体工艺设计的高效功率 MOSFET，专为高频开关应用而优化。它采用了 Trench 技术，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，能够显著降低系统功耗并提高效率。
该器件通常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机驱动以及电池管理系统等高效率需求的应用场景中。
型号：ADESDUC523T5VU
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vdss)：50V
最大栅源电压(Vgss)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
总栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：1800pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ADESDUC523T5VU 的主要特性包括：
- 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低导通损耗。
- 快速开关速度，适合高频开关应用。
- 高雪崩能量能力，增强系统的可靠性。
- 采用无铅封装，符合 RoHS 标准。
- 内置 ESD 保护功能，提高抗静电能力。
- 具有良好的热稳定性和耐受大电流冲击的能力。
- 封装紧凑，节省 PCB 空间。
这些特点使其非常适合需要高效能与高可靠性的功率转换和控制场合。
ADESDUC523T5VU 广泛应用于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
- DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
- 电机驱动电路中的功率级元件。
- 电池充电器及保护电路。
- 工业自动化设备中的功率控制模块。
- 汽车电子系统中的负载开关或逆变器组件。
其卓越的性能和稳定性使其成为众多功率应用的理想选择。
ADESDUC523T5VU-A, IRF540N, FDP55N06L
