ADESDMC2FD10VB 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的封装技术,具备低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能。
其内部集成了多种保护功能,包括过流保护、短路保护和过温保护,确保在复杂应用环境中的可靠性。
型号:ADESDMC2FD10VB
类型:GaN 功率开关
额定电压:650V
额定电流:10A
导通电阻:40mΩ
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
最大开关频率:5MHz
输入电容:900pF
ADESDMC2FD10VB 的主要特性在于其使用了第三代半导体材料氮化镓,这种材料具有宽禁带的特点,能够显著降低导通损耗和开关损耗。此外,器件还支持极高的开关频率,有助于减小磁性元件体积,从而实现更紧凑的电源设计。
其优化的热管理和出色的电气性能使其成为高效率、高密度功率转换应用的理想选择。集成的多重保护机制提高了系统的整体可靠性,并降低了外部电路的复杂性。
ADESDMC2FD10VB 常用于以下领域:
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 开关电源
2. 服务器及通信设备电源
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具和小型家电中的高效电机驱动
5. 快速充电器和其他便携式电子设备的电源模块
ADESDMC2FD8VB
ADESDMC2FD12VB