型号：AD586JRZ
　　输出电压：10V
　　初始精度：±0.3%（典型）
　　温度系数：5ppm/°C（典型），15ppm/°C（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：TO-99 金属密封封装
　　电源电压范围：12V 至 40V
　　输出电流能力：10mA（最大）
　　长期稳定性：20ppm/√kHr
　　噪声（0.1Hz 至 10Hz）：20μVp-p
　　输出阻抗：0.5Ω
　　功耗：典型值为500mW

AD586JRZ的核心技术基于其内部集成的埋入式齐纳基准结构，这一设计将齐纳二极管置于硅片表面以下，避免了传统表面齐纳结构易受表面污染、氧化和机械应力影响的问题，从而极大提高了基准电压的长期稳定性和可靠性。该结构使得器件在经历温度循环或长时间运行后仍能保持极小的电压漂移，是高精度测量系统中的理想选择。
　　该芯片具有非常低的温度系数，典型值仅为5ppm/°C，在整个军事级温度范围（-55°C 至 +125°C）内都能维持高度稳定的输出电压。这对于需要在恶劣环境条件下工作的工业传感器接口、航空电子设备和精密校准仪器尤为重要。通过优化内部电路布局和材料选择，AD586JRZ实现了卓越的热电动势控制和热滞后性能，进一步提升了系统的整体精度。
　　AD586JRZ还具备出色的噪声性能，其低频噪声（0.1Hz 至 10Hz）仅为20μVp-p，这有助于降低ADC或多通道测量系统中的有效位数（ENOB）损失，提升信噪比（SNR）。同时，其低输出阻抗（0.5Ω）使其能够更好地应对瞬态负载变化，防止输出电压波动。该器件支持高达10mA的负载电流输出，足以驱动大多数常见的精密转换器和放大器电路。
　　为了提高抗干扰能力，AD586JRZ在设计上采用了多级滤波和屏蔽技术，并推荐在PCB布局时使用独立的地平面和短路径布线，以最小化电磁耦合效应。其金属密封TO-99封装不仅提供了优良的散热性能，还能有效隔绝湿度和化学腐蚀，适用于严苛的工业和军用环境。此外，该器件具有良好的开机重复性和长期老化特性，年老化率通常低于50ppm，确保系统在整个生命周期内无需频繁校准。
　　总体而言，AD586JRZ是一款面向高端应用的精密电压基准，凭借其卓越的稳定性、低噪声、低漂移和高可靠性，成为许多关键系统中不可或缺的核心元件。尽管现代已有部分更小型化或更低功耗的基准器件出现，但在对长期精度和环境适应性有极高要求的场合，AD586JRZ依然保持着不可替代的地位。

AD586JRZ广泛应用于需要极高电压基准稳定性的精密电子系统中。典型应用场景包括高端数据采集系统（DAQ），其中作为模数转换器（ADC）的参考电压源，确保采样精度和线性度；在自动测试设备（ATE）中，用于提供可重复且稳定的激励信号或判断阈值，保障测试结果的一致性；在精密测量仪器如数字万用表（DMM）、示波器和源测量单元（SMU）中，作为核心参考源，直接影响整机的测量精度等级。
　　在工业过程控制领域，AD586JRZ常用于PLC模块、温度变送器和压力传感器信号调理电路中，为前端放大和A/D转换提供精准的基准电压，特别是在涉及微弱信号放大的应用中，其低噪声和低温漂特性显得尤为关键。此外，在航空航天与国防电子系统中，由于其工作温度范围宽、可靠性高且具备抗辐射潜力，AD586JRZ被用于飞行控制系统、导航设备和雷达信号处理单元等关键子系统。
　　科研实验装置如粒子探测器、光谱分析仪和高精度电源中也常采用AD586JRZ作为主基准源。在这些系统中，长期稳定性决定了实验数据的可信度，而该器件的老化率低、热滞后小的特点正好满足此类需求。另外，在需要进行定期校准的标准实验室中，AD586JRZ可用作次级标准参考源，辅助主标准完成日常比对和溯源任务。
　　尽管近年来出现了更多集成度更高、封装更小的电压基准IC，但AD586JRZ凭借其经过长期验证的性能表现和极高的可信度，仍在许多关键领域保有一席之地。尤其在不允许频繁维护或现场更换的嵌入式系统中，其长达十年以上的稳定工作能力使其成为设计师的首选之一。

AD586KN
　　AD586JN
　　LM399H
　　LTZ1000AC