制造商: ON Semiconductor
　　产品类型: RF Power Amplifier Module
　　工作频率: 2.3 GHz - 3.8 GHz
　　输出功率: 37 dBm (Typical)
　　增益: 23 dB (Typical)
　　电源电压: 28 V
　　工作温度范围: -40°C to +85°C
　　封装类型: Surface Mount
　　技术: GaN (Gallium Nitride)
　　效率: 45% (Typical)
　　输入/输出阻抗: 50 Ohms

ACPM-9001-LT1G 是一款高性能的 GaN 射频功率放大器模块，其核心特性之一是能够在 2.3 GHz 至 3.8 GHz 的宽频率范围内稳定工作，适用于多种无线通信标准。该模块采用先进的 GaN 技术，提供高达 37 dBm 的输出功率和 23 dB 的增益，同时保持较高的效率（典型值为 45%），这使得它在高功率应用中具备出色的热性能和能效表现。
　　此外，ACPM-9001-LT1G 的设计考虑了高线性度和低失真特性，使其在多载波和高数据速率系统中表现出色。模块内部集成了输入和输出匹配电路，减少了外部元件的需求，从而简化了设计并降低了整体系统成本。它还具备良好的热管理和高可靠性，适用于长时间运行的通信基础设施，如基站和接入点设备。
　　该模块的另一个优势是其紧凑的表面贴装封装，便于自动化生产和集成到现代高频通信系统中。ACPM-9001-LT1G 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于各种工业环境条件。

ACPM-9001-LT1G 主要应用于无线通信基础设施领域，包括 5G 宏基站、Wi-Fi 6E 接入点、WiMAX 基站、毫米波通信系统以及无线回传设备。其高输出功率和宽频率范围也使其适用于工业和商业射频测试设备、雷达系统和军事通信系统。在高密度无线网络部署中，如企业级 Wi-Fi 系统和城市小型基站，ACPM-9001-LT1G 能够提供稳定的高性能信号放大能力。此外，该模块也适用于需要高线性度和低失真的射频前端设计，如物联网（IoT）网关和远程通信设备。

ACPM-9002, ACPM-9101, HMC1099LP5E, CGHV96100F