时间：2025/9/15 8:02:16
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ACPM-5004-TR 是一款由 Advanced Monolithic Devices (AMD) 推出的 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的功率放大应用。该器件采用表面贴装封装技术，适用于无线基础设施、雷达、测试设备和通信系统等高性能射频应用。
工作频率范围：1 GHz - 5 GHz
最大漏极电流（IDmax）：350 mA
输出功率（Pout）：典型值为 30 W（在 2.14 GHz 下）
增益：典型值为 12 dB（在 2.14 GHz 下）
效率（PAE）：典型值为 45%
封装类型：表面贴装（SMT）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
ACPM-5004-TR 的核心特性包括其 GaAs HEMT 技术，该技术提供了优异的高频性能和热稳定性，非常适合用于高线性度和高效率的射频放大器设计。其高输出功率能力和高增益特性，使其能够在多种无线通信系统中实现卓越的信号放大效果。此外，该器件的封装设计优化了散热性能，使其能够在较高功率水平下稳定运行，并保持较长的使用寿命。
该器件的输入和输出匹配网络已内置，降低了外部电路设计的复杂性，并提高了系统集成的便利性。它在 1 GHz 到 5 GHz 的广泛频率范围内表现出稳定的性能，适用于多频段或多标准通信系统。此外，ACPM-5004-TR 具有良好的抗失真能力，适合用于要求高线性度的应用，如 LTE 和 5G 基站功率放大器设计。
ACPM-5004-TR 常用于无线基站、雷达系统、射频测试设备、微波通信系统和工业射频功率放大器。其高功率输出和宽带特性使其成为多频段通信系统和宽带放大器的理想选择。
ACPM-5003-TR, ACPM-5010-TR, MRF6S27045H
