时间：2025/9/15 8:57:33
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ACMD7601TR1 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于高边开关、负载开关和 DC-DC 转换器等应用中。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高功率密度和优良的热性能。ACMD7601TR1 采用紧凑的 8 引脚 TDFN 封装，适用于空间受限的电路设计。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的工作电压，使其在多种电源管理应用中具备良好的适应性。
类型：MOSFET（双N沟道）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.5A（每个通道）
导通电阻（RDS(ON)）：19mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：8-TDFN
ACMD7601TR1 MOSFET 具备多项优异特性，首先其双 N 沟道结构设计使其能够在单个封装中实现两个独立的高边开关，显著提高了电路集成度并减少了外围元件数量。其次，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(ON)），在 VGS=10V 时仅为 19mΩ，有效降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，其在较低的栅极驱动电压（如 4.5V）下仍能保持良好的导通性能（RDS(ON) 为 28mΩ），使得其兼容多种控制器和驱动电路。
ACMD7601TR1 的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V，适用于多种供电环境。器件内置热保护功能，能够在过热情况下自动降低导通电流，从而提高系统可靠性。其 8-TDFN 封装形式具有优良的热管理性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于工业和消费类电子产品。
ACMD7601TR1 主要应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。典型应用包括负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。该器件的双通道设计特别适合用于双路负载控制或同步整流拓扑，例如在 USB PD 或多路输出电源中，可以显著减少 PCB 面积并提高系统集成度。此外，由于其良好的热性能和低导通电阻，该器件也常用于工业自动化设备、便携式电子设备和汽车电子系统中的功率控制模块。
Si7155DP-T1-GE3, FDS6680, NVMFS4C03NLTAG, AO4406A
