ACMD-7402-TR1G 时间：2025/9/16 12:15:40 阅读：9

ACMD-7402-TR1G 是由 Broadcom（安华高）生产的一款 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要设计用于射频（RF）和微波频率范围内的开关应用。这款器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具备低插入损耗、高隔离度和快速开关速度等特性，非常适合在需要高频性能和高可靠性的系统中使用。ACMD-7402-TR1G 采用表面贴装封装，便于在现代射频电路板设计中集成。

参数

类型：GaAs HEMT 射频开关 FET
　　封装类型：SOT-363
　　工作频率：最高可达 4 GHz
　　插入损耗：典型值 0.35 dB（在 2 GHz）
　　隔离度：典型值 35 dB（在 2 GHz）
　　控制电压（Vctrl）：0 至 5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

ACMD-7402-TR1G 具备多项高性能特性，使其在射频开关应用中表现出色。
　　首先，其 GaAs HEMT 技术提供了优异的射频性能，包括低噪声系数和高线性度，适用于高精度射频信号控制。
　　其次，该器件在宽频率范围内（最高可达 4 GHz）保持稳定的插入损耗和隔离度性能，插入损耗在 2 GHz 下典型值为 0.35 dB，而隔离度则高达 35 dB，确保信号路径的高效切换和最小的信号干扰。
　　此外，ACMD-7402-TR1G 支持快速开关操作，开关时间通常小于 10 ns，适合用于需要快速响应的射频系统，如无线通信、雷达和测试设备。
　　其控制电压范围为 0 至 5V，兼容常见的 CMOS/TTL 控制电路，简化了系统集成和控制逻辑的设计。
　　该器件采用 SOT-363 小型封装，适合高密度 PCB 设计，并具备良好的热稳定性和机械可靠性，可在 -40°C 至 +85°C 的工业温度范围内稳定工作。
　　总体而言，ACMD-7402-TR1G 在性能、封装和控制兼容性方面都表现出色，是一款适用于多种射频应用的高性能开关晶体管。

应用

ACMD-7402-TR1G 主要应用于需要高频射频信号切换的场合。典型应用包括蜂窝基站、无线基础设施、射频测试设备、雷达系统、工业控制系统以及宽带通信设备。由于其低插入损耗和高隔离度特性，该器件非常适合用于射频信号路由、发射/接收开关、多路复用器以及射频前端模块中的控制电路。此外，其快速开关能力和宽工作温度范围也使其适用于移动通信设备和户外射频系统。