AC82GS40 SLGT8 时间：2025/12/26 16:02:52 阅读：12

AC82GS40 SLGT8是一款由华润微电子推出的高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等中高压功率场合。该器件采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺制造，结合优化的封装技术，在导通电阻、开关速度和热性能之间实现了良好的平衡。SLGT8是其产品型号后缀，代表特定的封装形式与性能等级，通常指Super Low Gate Threshold（超低栅极阈值）版本，适用于对驱动电压敏感的应用场景，能够兼容3.3V或5V逻辑电平直接驱动，从而简化电路设计并降低系统成本。AC82GS40的设计注重能效和稳定性，具备优良的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力，适合在工业控制、消费类电源适配器、LED照明驱动以及绿色能源系统中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。

参数

型号：AC82GS40 SLGT8
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大连续漏极电流（Id）：82A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.0V，范围0.6V~1.4V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值4.0mΩ @ Vgs=4.5V；最大值5.5mΩ @ Vgs=2.5V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　功耗（Pd）：200W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　引脚数：3
　　极性：增强型

特性

AC82GS40 SLGT8具有多项关键特性，使其在同类功率MOSFET中表现出色。首先，其超低栅极开启阈值电压（Vgs(th)低至0.6V~1.4V）使得该器件能够在低电压控制系统中实现快速、可靠的导通，尤其适用于由微控制器或低压逻辑IC直接驱动的应用，避免了额外的电平转换或专用驱动芯片的需求，显著降低了系统复杂性和整体成本。其次，该器件采用了先进的沟槽式硅基工艺，有效减小了单元尺寸并提升了载流子迁移率，从而实现了极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=4.5V条件下可低至4.0mΩ，大幅减少了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适合大电流应用场景如同步整流、电池管理系统和高效率DC-DC变换器。
　　第三，AC82GS40 SLGT8具备优异的热稳定性和散热性能，得益于其TO-252（DPAK）封装结构，该封装支持良好的PCB焊接散热设计，允许通过焊盘将热量高效传导至电路板，提升功率密度的同时确保长期运行的可靠性。同时，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩击穿能力，可在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　第四，该MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷（Qg），有助于加快开关速度，减少开关损耗，提高高频工作的效率。此外，其跨导（gm）较高，响应灵敏，能够实现精确的电流控制。最后，器件通过了严格的质量认证和可靠性测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）等，确保在恶劣环境下仍能稳定工作，适用于工业级和汽车级应用需求。

应用

AC82GS40 SLGT8因其优异的电气性能和低驱动门槛，广泛应用于多种中高功率电子系统中。在电源领域，常用于开关模式电源（SMPS）、同步整流器、降压/升压（Buck/Boost）转换器中作为主开关或整流元件，特别是在笔记本电脑适配器、手机充电器、工业电源模块中发挥重要作用。由于其低Rds(on)和高电流承载能力，也适用于电池供电设备中的充放电管理电路，例如电动工具、无人机和便携式储能系统中的MOSFET阵列设计。
　　在电机控制方面，该器件可用于直流电机驱动、步进电机驱动以及小型伺服系统，凭借其快速响应和低导通损耗特性，能够有效提升驱动效率并减少发热。此外，在LED照明系统中，尤其是大功率恒流驱动电源中，AC82GS40 SLGT8可用作PWM调光开关或主功率开关，提供稳定的电流输出和高能效表现。
　　该器件还适用于逆变器、太阳能控制器、UPS不间断电源等新能源相关设备中，承担能量转换和通断控制功能。由于其具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，也可用于车载电子辅助电源、车载照明或车载充电模块等对可靠性要求较高的环境中。总之，凡涉及低压大电流、高频开关或低驱动电压需求的功率控制场景，AC82GS40 SLGT8均是一个极具竞争力的选择。