型号：AC5500 SLH3N
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：42 A（在TC=25°C）
　　导通电阻 RDS(on)：max 3.3 mΩ（在 VGS = 10 V）
　　导通电阻 RDS(on)：max 4.2 mΩ（在 VGS = 4.5 V）
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　总栅极电荷（Qg）：典型值 27 nC（在 VGS = 10 V）
　　输入电容（Ciss）：典型值 2800 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 1000 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 30 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 3.3x3.3
　　安装类型：表面贴装（SMD）

AC5500 SLH3N 的核心优势在于其极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。该器件采用了 ST 的先进沟槽栅极技术和薄芯片工艺，显著降低了 RDS(on)，从而减少了在大电流应用中的导通损耗，提高了整体系统效率。在 VGS = 10 V 条件下，其典型 RDS(on) 仅为 3.3 mΩ，而在较低驱动电压 4.5 V 下仍可保持 4.2 mΩ 的低阻值，这使其兼容多种逻辑电平驱动电路，包括使用 5 V 或 3.3 V 控制信号的控制器。
　　该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为 27 nC，有助于减少驱动损耗并提升高频开关应用中的能效。同时，其输入和输出电容也经过优化，有利于降低开关过程中的能量损耗，适用于高频 DC-DC 变换器和同步整流拓扑。此外，器件的反向恢复时间较短（典型值 30 ns），能够有效减少体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰问题，在硬开关电路中表现更为稳定。
　　AC5500 SLH3N 采用 PowerFLAT 3.3x3.3 封装，具有出色的热性能和较小的占位面积，特别适合高密度 PCB 设计。该封装支持双面散热，可通过 PCB 铜箔进行高效散热，提升功率处理能力。器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +175°C，可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业、通信和汽车电子等领域。此外，该器件通过了 AEC-Q101 认证，满足汽车级可靠性要求，具备高抗湿性和机械稳定性，适合车载电源系统使用。

AC5500 SLH3N 广泛用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。典型应用包括同步降压转换器和升压转换器，尤其是在多相 VRM（电压调节模块）中作为上下桥臂开关使用，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。在服务器、笔记本电脑和高性能计算设备的主板电源管理单元中，该器件常被用于核心电压供电的 DC-DC 模块。
　　在电池供电系统中，如电动工具、无人机和便携式医疗设备，AC5500 SLH3N 可作为负载开关或电池保护电路中的主控开关，利用其低 RDS(on) 减少电池能量损耗，延长续航时间。此外，该器件也适用于电机驱动电路中的 H 桥结构，提供高效的功率切换能力。
　　在通信电源和工业电源系统中，该 MOSFET 可用于隔离式和非隔离式电源拓扑的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管，大幅提高整流效率并降低温升。由于其封装小型化且热性能优良，也适用于紧凑型 AC-DC 适配器和 USB PD 快充电源设计。此外，在电动汽车的车载充电机（OBC）和 DC-DC 转换器中，该器件凭借其汽车级认证和高可靠性，成为关键功率元件之一。

STL32N60M2
　　IPD95R035C6