ABA-53563-TR2G 是一个由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的射频(RF)放大器集成电路。这款器件专为需要高性能和高可靠性的应用而设计,通常用于无线通信系统中的信号增强。
制造商: ON Semiconductor
类型: 射频放大器
频率范围: 50 MHz - 4000 MHz
增益: 18 dB
输出功率: 26 dBm
电源电压: 5V
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
ABA-53563-TR2G具备宽频率范围,适用于多种无线通信标准,包括GSM、CDMA、WCDMA和LTE等。其高线性度和低噪声特性使其成为基站、无线基础设施和测试设备的理想选择。此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,可以在恶劣的环境中工作。器件采用紧凑的封装形式,节省空间,便于集成到复杂电路设计中。另外,ABA-53563-TR2G具有较高的能效,能够在保证输出功率的同时降低功耗,减少散热需求。
ABA-53563-TR2G主要用于无线通信基础设施,如基站、中继器和无线测试设备。它还适用于工业和医疗设备中的射频信号放大,以及各种需要高线性度和高输出功率的射频应用。
HMC414MS16E