A8522T 时间：2025/7/30 6:18:57 阅读：11

A8522T 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件主要用于需要高效能和低导通电阻的应用场景，适用于电源管理和功率转换系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池充电电路以及马达控制等。A8522T 采用先进的 Trench 技术制造，提供良好的导通性能和较高的耐用性。该器件的封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装，有助于提高电路板设计的灵活性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：85A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

A8522T MOSFET 具有极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极电压下仅为 4.5mΩ，这使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有高耐压特性，漏源电压额定值为 30V，能够承受较高的瞬态电压应力，确保系统在恶劣条件下的稳定性。
　　A8522T 的设计基于先进的 Trench 工艺技术，这不仅优化了导通性能，还提高了器件的热稳定性和可靠性。同时，其高栅极电压容限（±20V）使得该器件可以与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　由于采用了 TO-252（DPAK）封装，A8522T 在散热性能上表现良好，能够在高功率耗散条件下保持较低的工作温度。其最大功率耗散为 125W，适合需要高效散热的应用场景。此外，该器件的封装形式适合表面贴装工艺，有助于提高 PCB 布局的紧凑性和自动化生产效率。
　　该 MOSFET 还具备良好的短路和过载保护能力，能够在异常工况下提供一定程度的自我保护，从而延长器件的使用寿命并提高系统的整体可靠性。

应用

A8522T 广泛应用于各类电源管理和功率控制电路中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和高性能电源适配器。由于其高电流承载能力和低导通电阻，A8522T 也常被用于负载开关和电机驱动电路中。