时间：2025/9/16 3:04:17
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A782T 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
漏极电流（ID）：4.3A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值，VGS=4.5V）
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSOP-6
A782T MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得器件在导通状态下具有非常低的电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件的栅极驱动电压范围适中，支持常见的 4.5V 至 12V 驱动电压，适用于多种控制电路设计。
其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现出色，同时减少了热量的产生，提高了系统的稳定性和可靠性。A782T 还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，A782T 采用 TSOP-6 小型封装，适合空间受限的设计，同时具备良好的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件还具有良好的抗静电能力和过温保护特性，增强了其在恶劣环境中的适用性。
A782T 常用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统中，例如便携式电子设备的 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、马达驱动电路以及各种低电压高电流的开关控制应用。由于其低导通电阻和高电流能力，也适合用于电源管理 IC（PMIC）的外围开关元件。
Si2302DS, AO4406A, FDN304P
