工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　供电电压（VCC）：最大6V
　　输入正向电流（IF）：最大60mA
　　输出集电极电流（IC）：最大50mA
　　隔离电压（Viso）：2500Vrms
　　响应时间（tr/tf）：典型值为350ns/500ns
　　电流传输比（CTR）：最小值为50%（IF=16mA时）
　　工作波长：850nm（近红外）
　　封装类型：8-pin DIP

A6N136V是一款具备高速性能和高隔离能力的光耦器件。其内部采用GaAs红外LED与硅光电探测器组合，能够在高速数字信号传输中保持良好的稳定性和抗干扰能力。
　　这款光耦的CTR（电流传输比）性能优异，确保在较低的输入电流下仍能驱动输出端，适用于低功耗系统设计。
　　其响应时间在纳秒级别，适合用于串口通信、RS485/RS232接口隔离、脉冲信号传输等对速度要求较高的场合。
　　A6N136V具有良好的抗静电能力和环境适应性，可在高温、潮湿等复杂环境下稳定运行，适用于工业自动化、仪器仪表、电源控制等场景。
　　此外，其封装符合行业标准，便于在PCB设计中使用，并支持自动插件与回流焊工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。

A6N136V主要应用于需要信号隔离与电气隔离的电路中，常见于工业控制系统、自动化设备、通信模块、变频器、伺服驱动器、医疗电子设备、电源管理系统等。
　　在通信接口中，该器件常用于RS485、RS232、CAN总线等通信协议的隔离段设计，有效防止地电位差造成的干扰和损坏。
　　在电源管理系统中，A6N136V可用于隔离PWM控制信号，提高系统的稳定性和安全性。
　　此外，该器件也广泛应用于数字输入/输出隔离、PLC模块设计、电机驱动控制等高性能隔离电路中。

HCPL-2630, 6N136, LTV-847S, TLP2361, EL817C