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A6B259KLWTR 发布时间 时间:2025/7/30 6:57:46 查看 阅读:32

A6B259KLWTR是一款由Alliance Memory公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该SRAM芯片具有低功耗、高速访问时间和宽工作温度范围等特性,适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用场景。A6B259KLWTR采用先进的CMOS技术制造,确保了稳定性和可靠性,同时提供了出色的性能。

参数

容量:128K x 16位
  电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54引脚
  数据总线宽度:16位
  功耗:典型值为150mA(待机电流<10μA)

特性

A6B259KLWTR SRAM芯片具备多项高性能和高可靠性特点。首先,它拥有128K x 16位的存储容量,能够满足中高端嵌入式系统和工业控制设备对数据存储的需求。该芯片的访问时间低至10ns,保证了快速的数据读写能力,适用于对响应时间要求较高的应用场景。A6B259KLWTR的电源电压范围为2.3V至3.6V,使其在不同的电源条件下都能稳定工作。此外,其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于各种恶劣环境。CMOS技术的应用不仅降低了功耗,还减少了芯片的热量产生,提高了整体能效。该芯片采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于集成到紧凑的电路设计中。最后,该SRAM支持自动待机模式,在未被访问时可显著降低功耗,从而延长设备的电池寿命或降低整体能耗。

应用

A6B259KLWTR SRAM芯片广泛应用于工业控制设备(如PLC、HMI、工业计算机)、通信设备(如路由器、交换机、基站模块)、消费类电子产品(如智能家电、高端音频/视频设备)以及汽车电子系统(如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统)。此外,它还可用于嵌入式系统的高速缓存或临时数据存储器,以提升系统运行效率和响应速度。

替代型号

CY62167EVLL-10ZSXC

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A6B259KLWTR参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数8
  • 导通状态电阻5.5 欧姆
  • 电流 - 输出 / 通道150mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装20-SOIC W
  • 包装带卷 (TR)