A6261KT 时间：2025/7/30 8:34:27 阅读：16

A6261KT是一款由Alliance Memory公司生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mbit（128K x 8），采用高速CMOS工艺制造。该芯片专为需要高速数据存取和低功耗操作的应用而设计，广泛用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中。A6261KT采用标准的异步SRAM接口，支持全地址和数据总线控制，具有广泛的兼容性和易用性。该器件的工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），适合在各种恶劣环境下稳定运行。

参数

类型：异步SRAM
　　容量：1Mbit（128K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：55ns（A6261-55）
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装引脚数：54-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：8mm x 20mm
　　封装类型：II型
　　数据保持电压：最小1.5V
　　读电流（典型值）：100mA
　　待机电流（最大值）：10mA

特性

A6261KT SRAM具有多项显著的性能特点，首先是其高速存取能力，最大访问时间仅为55ns，使得它适用于对响应时间要求较高的系统设计。其次，该芯片支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力，同时具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　该SRAM器件采用CMOS工艺制造，具备高抗干扰能力和低功耗运行特性，能够在极端温度条件下保持稳定工作，适用于工业自动化、网络通信、消费电子和汽车电子等应用领域。此外，A6261KT采用标准的54引脚TSOP封装，便于PCB布局和焊接，提高了系统的可靠性和可维护性。
　　其异步接口设计简化了与微处理器或控制器的连接，支持全地址和数据总线控制，具有地址锁存功能，允许外部控制器通过标准的读写信号进行操作。此外，该芯片还具备数据保持模式，在电源电压降低至1.5V时仍能保持存储数据，确保关键信息不会丢失。

应用

A6261KT SRAM广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的嵌入式系统中。典型的应用包括工业控制系统中的数据缓冲、通信设备中的协议转换和数据暂存、消费类电子产品中的图形缓存或程序存储、以及汽车电子中的传感器数据暂存等场景。
　　由于其工业级温度范围和高可靠性，A6261KT也常用于医疗设备、智能仪表、视频监控设备和智能卡读写器等对稳定性要求较高的场合。此外，该芯片还可用于需要与外部处理器或FPGA进行高速数据交换的工业计算机和模块化系统中，作为临时存储器或高速缓存使用。