时间：2025/7/12 7:55:49
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A60Z6R8CT200T 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列，主要特点是能够提供稳定的电流输出和快速的开关速度，同时支持较高的电压承受能力。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：2mΩ
总功耗(Ptot)：340W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ to +175℃
A60Z6R8CT200T 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (2mΩ)，确保高效的功率转换并减少发热。
2. 高耐压能力，额定漏源电压为 60V，适用于中高压应用场景。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，并适合高频应用。
4. 大电流承载能力，连续漏极电流可达 100A，满足大功率负载需求。
5. 良好的热性能，封装设计优化散热效果，提高系统可靠性。
6. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种极端环境条件。
7. 具备优异的电气特性和稳定性，能够在恶劣条件下长期稳定运行。
A60Z6R8CT200T 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 新能源汽车的逆变器和电池管理系统。
5. 充电器和适配器中的高效功率转换解决方案。
6. LED 照明系统的恒流驱动电路。
7. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
A60Z6R8CT200H, IRFZ44N, FDP5500
