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A60Z4R7CT200T 发布时间 时间:2025/6/23 10:18:19 查看 阅读:6

A60Z4R7CT200T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提高了效率并降低了功耗。
  该型号属于沟道增强型场效应晶体管系列,适用于高频率应用场合,同时具有出色的热性能和电气稳定性。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:4.5A
  导通电阻:70mΩ
  栅极电荷:15nC
  输入电容:380pF
  开关时间:典型值 15ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

A60Z4R7CT200T 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (70mΩ),可有效降低功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高耐压能力(200V),能够承受较高电压的工作条件。
  4. 热性能优异,支持长时间稳定运行。
  5. 小封装尺寸,便于电路板布局设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

此型号主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换控制。
  4. 工业自动化设备中的信号放大与隔离。
  5. 各类电池管理系统(BMS)中的保护电路设计。

替代型号

A60Z4R7CT150T
  A60Z4R8CT200T
  BSC046N06NS3
  IRFZ44N