A60Z4R7CT200T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提高了效率并降低了功耗。
该型号属于沟道增强型场效应晶体管系列,适用于高频率应用场合,同时具有出色的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:4.5A
导通电阻:70mΩ
栅极电荷:15nC
输入电容:380pF
开关时间:典型值 15ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
A60Z4R7CT200T 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (70mΩ),可有效降低功率损耗。
2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
3. 高耐压能力(200V),能够承受较高电压的工作条件。
4. 热性能优异,支持长时间稳定运行。
5. 小封装尺寸,便于电路板布局设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
此型号主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换控制。
4. 工业自动化设备中的信号放大与隔离。
5. 各类电池管理系统(BMS)中的保护电路设计。
A60Z4R7CT150T
A60Z4R8CT200T
BSC046N06NS3
IRFZ44N