时间：2025/6/22 3:38:40
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A60Z3R6CT200T 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大功能。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了在高频和高功率条件下的稳定性能。此外，其封装设计优化了散热性能，从而提高了整体效率和可靠性。
型号：A60Z3R6CT200T
类型：MOSFET
极性：N沟道
电压（Vds）：60V
电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极电荷（Qg）：78nC
功率耗散：220W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
A60Z3R6CT200T 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
3. 强大的过流能力和耐热增强型封装，能够在严苛条件下保持稳定运行。
4. 内置反向恢复二极管，优化了同步整流和续流应用中的表现。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 稳定的电气性能和较长的使用寿命，降低了维护成本。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 电动车辆的电机控制器和电池管理系统。
3. 工业自动化设备中的驱动电路。
4. LED 照明系统的驱动芯片。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
6. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。
A60Z3R6CT200G, IRFZ44N, FDP16N60C
