A60Z1R2BT200T是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要应用于工业电源、电机驱动和新能源领域。该器件采用了先进的沟槽栅和场截止技术,能够实现高效率和低损耗的电力转换。其封装形式为标准的双列直插式模块,具有良好的散热性能和电气隔离特性。
这款IGBT模块内部集成了多个IGBT芯片和二极管芯片,通过优化设计,使其在高频开关条件下依然保持较低的导通和开关损耗,非常适合于对效率和可靠性要求较高的应用场景。
额定电压:1200V
额定电流:200A
最大工作温度:150℃
最小存储温度:-40℃
导通压降:1.7V
开关频率:20kHz
封装形式:DIP
引脚数量:24
A60Z1R2BT200T具备以下显著特性:
1. 高耐压能力:其额定电压为1200V,可适应高压环境下的应用需求。
2. 低导通损耗:采用先进的沟槽栅结构,有效降低导通压降,提高系统效率。
3. 快速开关速度:通过优化芯片设计和封装工艺,实现了高达20kHz的开关频率,适合高频应用。
4. 集成保护功能:内置过流保护和短路保护电路,提升了系统的安全性和可靠性。
5. 良好的热性能:采用高效的散热设计,确保模块在高功率运行时仍能保持稳定的工作状态。
A60Z1R2BT200T广泛应用于以下领域:
1. 工业变频器:用于控制电机转速和扭矩,提升生产效率。
2. 新能源发电:如太阳能逆变器和风力发电变流器中,实现电能的有效转换。
3. 电动汽车:作为主驱逆变器的核心部件,提供高效的动力输出。
4. 不间断电源(UPS):保证设备在电网异常时的持续供电。
5. 焊接设备:实现精确的电流控制,提高焊接质量。
A60Z1R2BT200N, A60Z1R2BT200P