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A60Z1R2BT200T 发布时间 时间:2025/7/8 19:37:30 查看 阅读:18

A60Z1R2BT200T是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要应用于工业电源、电机驱动和新能源领域。该器件采用了先进的沟槽栅和场截止技术,能够实现高效率和低损耗的电力转换。其封装形式为标准的双列直插式模块,具有良好的散热性能和电气隔离特性。
  这款IGBT模块内部集成了多个IGBT芯片和二极管芯片,通过优化设计,使其在高频开关条件下依然保持较低的导通和开关损耗,非常适合于对效率和可靠性要求较高的应用场景。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:200A
  最大工作温度:150℃
  最小存储温度:-40℃
  导通压降:1.7V
  开关频率:20kHz
  封装形式:DIP
  引脚数量:24

特性

A60Z1R2BT200T具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力:其额定电压为1200V,可适应高压环境下的应用需求。
  2. 低导通损耗:采用先进的沟槽栅结构,有效降低导通压降,提高系统效率。
  3. 快速开关速度:通过优化芯片设计和封装工艺,实现了高达20kHz的开关频率,适合高频应用。
  4. 集成保护功能:内置过流保护和短路保护电路,提升了系统的安全性和可靠性。
  5. 良好的热性能:采用高效的散热设计,确保模块在高功率运行时仍能保持稳定的工作状态。

应用

A60Z1R2BT200T广泛应用于以下领域:
  1. 工业变频器:用于控制电机转速和扭矩,提升生产效率。
  2. 新能源发电:如太阳能逆变器和风力发电变流器中,实现电能的有效转换。
  3. 电动汽车:作为主驱逆变器的核心部件,提供高效的动力输出。
  4. 不间断电源(UPS):保证设备在电网异常时的持续供电。
  5. 焊接设备:实现精确的电流控制,提高焊接质量。

替代型号

A60Z1R2BT200N, A60Z1R2BT200P