时间：2025/6/16 22:51:19
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A60Z1R0BT200T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提升系统性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要快速开关和高效能量转换的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.0mΩ
栅极电荷：90nC
总电容：1500pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
A60Z1R0BT200T 具有非常低的导通电阻，仅为 1.0mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，能有效减少功率损耗。
其栅极电荷较低，为 90nC，因此驱动损耗也较小，适合高频开关应用。
此外，该器件支持宽广的工作温度范围，从 -55℃ 到 175℃，能够在极端环境下稳定运行。
由于其高电流承受能力（200A），这款 MOSFET 在工业电机控制、电动汽车以及大型电源模块中非常适用。
该元器件广泛应用于开关电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动电路、电动车控制器以及各类工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
其卓越的热性能和电气性能使其成为高功率密度设计的理想选择。
A60Z1R2BT200T
A60Z1R3BT200T
A60Z1R4BT200T
