时间：2025/9/15 23:59:50
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A4N45是一种常用的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源和DC-DC转换器等领域。该器件采用高压制程技术，具备优良的导通电阻和开关特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：450V
最大漏极电流（Id）：3.8A
导通电阻（Rds(on)）：1.35Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
最大功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C~150°C
A4N45具有高耐压、低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率的开关电路设计。其封装形式通常为TO-92或类似的小型封装，使其在空间受限的应用中具有优势。此外，该器件的热稳定性和可靠性较高，可在复杂环境中稳定工作。
在实际应用中，A4N45可以作为功率开关、电源转换器以及马达控制电路中的关键元件。由于其栅极驱动要求较低，因此可以简化驱动电路设计，降低系统成本。同时，其高耐压特性也能够保障电路在高压环境下的安全运行。
A4N45常用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动、电池管理系统以及小型电机控制电路。此外，它也适用于需要高压开关能力的工业控制和消费类电子产品中。
2N60, 2N678, IRF630
