时间：2025/8/18 20:09:37
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A3286R 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于需要高电流负载能力的应用。A3286R的封装形式为SOP（小外形封装），适合表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏-源电压（Vds）：60V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.022Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：3.6W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
A3286R具有非常低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，同时减少了功率损耗和发热。其高栅极击穿电压（±20V）增强了器件的稳定性和抗干扰能力。
该MOSFET采用SOP封装，体积小巧，便于在高密度电路板中使用。此外，A3286R具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下长时间运行。
此器件还具备快速开关特性，适用于高频率切换应用，如DC-DC转换器和电机驱动电路。A3286R的高可靠性和优异的电气性能使其成为许多工业和消费类电子产品的首选器件。
A3286R 主要用于电源管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机控制和电源分配系统。此外，该器件也常用于工业自动化设备、通信设备、LED照明驱动器和便携式电子设备的电源管理电路。
A3286R的替代型号包括TPH3206F和AO4468，它们在电气特性和封装尺寸上具有相似的性能指标，适用于类似的高电流电源管理应用。
