A2803 时间：2025/7/30 0:26:28 阅读：5

A2803是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电流和高电压的开关应用中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。A2803通常采用TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A（在25°C）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：小于4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

特性

A2803的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流容量和低RDS(on)使其非常适合用于高功率密度应用，例如同步整流、电源管理和电池供电系统。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　此外，A2803具备快速开关特性，适用于高频操作环境，从而减少了开关损耗并提高了整体系统性能。其栅极驱动电压范围宽，通常可以在4.5V至20V之间工作，兼容多种驱动电路设计。该器件的封装设计具有良好的散热性能，适合在高温环境中使用。
　　由于其高可靠性和优异的性能，A2803广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等领域。