类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A（在25°C）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.9mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247（部分型号可能采用其他封装）

A261NV具备多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力和耐压性能，可在高压和大电流环境下稳定工作。此外，A261NV的开关速度较快，适用于高频率操作，有助于减小外部电感和电容元件的尺寸，从而实现更紧凑的电路设计。其封装设计具备良好的热管理能力，能够有效散热，提升器件的可靠性和寿命。在汽车电子和工业控制领域，A261NV的高稳定性和抗干扰能力也得到了广泛认可。
　　A261NV还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。这使得它在电机驱动和电源转换系统中具有更高的安全性和耐久性。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低驱动损耗，提高系统的响应速度和能效。由于其优异的电气性能和广泛的应用适应性，A261NV已成为许多高功率密度和高性能应用的首选MOSFET之一。

A261NV广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器、逆变器、电池管理系统以及汽车电子控制系统。在电动车和混合动力汽车中，该器件可用于电机控制器和车载充电系统，以提高能效和可靠性。此外，A261NV还可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和高功率LED照明系统等场合。其快速开关特性使其特别适用于需要高频率工作的开关电源（SMPS）设计。

TKA60N60X,TJA1042T