A2505WV-5P 时间：2025/8/17 13:36:09 阅读：6

A2505WV-5P是一款由Toshiba（东芝）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，专为高效率、高性能的电源管理应用而设计。该型号属于N沟道MOSFET类别，广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统中。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，A2505WV-5P采用了小型化的封装技术，适用于空间受限的电子设备设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　封装类型：SOP（小外形封装）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（Pd）：2W

特性

A2505WV-5P具有多项优异的电气特性和设计优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。这对于高功率密度的电源系统尤为重要。
　　其次，该MOSFET的封装形式采用了SOP（小外形封装）技术，不仅节省了PCB空间，还提高了设备的集成度和可靠性。此外，A2505WV-5P的热性能良好，能够在高温环境下稳定工作，适应各种严苛的应用环境。
　　在电气特性方面，A2505WV-5P的漏源电压（Vds）为30V，连续漏极电流（Id）为6A，栅源电压（Vgs）支持±20V的范围，使其能够在多种电压条件下稳定运行。其导通阈值电压较低，能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，适用于低功耗应用。
　　另外，该器件的开关特性也非常优异，具有快速的开关速度和较低的开关损耗，适合高频开关应用。这使得A2505WV-5P在需要高频率操作的电源转换器中表现出色，如DC-DC转换器、同步整流器等。