A2010WV-4P是一款由Alliance Memory公司生产的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用CMOS工艺制造,提供高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据存取和低功耗设计的应用场景。A2010WV-4P封装为44引脚SOJ(Small Outline J-lead)封装,广泛用于工业控制、通信设备、消费电子等领域。
类型:异步SRAM
容量:1Mbit(128K x 8)
电源电压:3.3V 或 5V 可选
访问时间:10ns
封装类型:44引脚SOJ
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据保持电压:最小1.5V
输入/输出电平:TTL兼容
最大待机电流:10mA(典型值)
封装尺寸:18.3mm x 14.0mm x 2.5mm(典型)
A2010WV-4P 是一款高性能异步SRAM,具备出色的读写速度和低功耗特性。其访问时间仅为10ns,能够满足高速数据处理的需求。该器件采用CMOS工艺制造,使其在保持高性能的同时,功耗远低于传统的TTL或NMOS SRAM器件。其支持3.3V或5V供电,具有广泛的兼容性,适用于多种系统设计。此外,该SRAM在数据保持模式下仅需最低1.5V的电压,确保在掉电情况下数据不会丢失,非常适合需要低功耗待机或数据保留的应用。该器件的输入和输出电平均兼容TTL标准,简化了与各种微控制器和外围设备的接口设计。其44引脚SOJ封装结构紧凑,适合高密度PCB布局。A2010WV-4P的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),可在恶劣环境中稳定运行,适用于工业自动化、通信设备、便携式仪器等应用场景。
A2010WV-4P 适用于需要高速存取和低功耗特性的各种电子系统,包括工业控制设备、嵌入式系统、通信模块、网络设备、测量仪器、便携式电子产品以及数据缓冲器等应用。由于其支持宽温度范围和多种电源电压选项,该SRAM特别适合在工业环境和远程通信设备中使用。
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